北京
分享至
国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“非易失性存储器位单元及其制造方法、集成电路”的专利，公开号CN121531715A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，公开了一种非易失性存储器(NVM)位单元及其制造方法、集成电路。NVM位单元包括第一阱区和第二阱区。NVM位单元还包括在第一阱区和第二阱区之间的隔离沟槽。隔离沟槽具有大于第一阱区和第二阱区的阱深度的沟槽深度。NVM位单元还包括形成在第一阱区中的控制栅极。另外，NVM位单元包括形成在第二阱区中的状态晶体管。状态晶体管具有耦接到控制栅极的浮动端子的浮动栅极端子。NVM位单元还包括形成在第二阱区中并且与状态晶体管串联耦接的存取晶体管。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
