北京
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国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“用于形成氧化物层的方法、系统和装置”的专利，公开号CN121531988A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，一种用于在衬底上沉积氧化物的方法，包括：a)在室中提供衬底；b)首先将前体脉冲到室中，以将组分化学吸附到衬底表面上；c)将氧物质脉冲到室中，以在与组分接触时在表面上形成氧化物层，其中氧物质包括醇；以及重复一个或多个步骤b)‑c)，直到氧化物层沉积到期望厚度。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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