北京
国家知识产权局信息显示，浙江珏芯微电子有限公司申请一项名为“验证光刻胶层残留的方法”的专利，公开号CN121522969A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种验证光刻胶层残留的方法，包括以下步骤：提供多个衬底，并形成覆盖各所述衬底表面的诊断膜层；形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述诊断膜层表面；对所述光刻胶层进行曝光；采用多组不同的光刻工艺参数组合，对不同所述衬底上的所述光刻胶层和所述诊断膜层分别进行显影和刻蚀；根据不同所述衬底上所述诊断膜层的残留情况，判断不同所述工艺参数组合所对应的所述光刻胶层的残留情况；以及，基于所述光刻胶层的残留情况从多组所述光刻工艺参数组合中选择适用于当前光刻工艺的最优光刻工艺参数。本发明通过平行实验验证在不同光刻工艺参数下光刻胶的残留情况，并据此筛选出最优光刻工艺参数，方法普适性强且成本低廉。
天眼查资料显示，浙江珏芯微电子有限公司，成立于2019年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本35131.764706万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江珏芯微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息227条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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