华强北商家回应 DDR4 内存“闪崩”：较 2025 年峰值回落约 10-20%

来源：市场资讯

　　源自：IT之家

　　2 月 15 日，春节假期逐渐临近，近期国内陆续传出内存价格“闪崩”等消息。证券时报记者今日实探华强北市场发现，内存现货市场价格有些许回调，市场炒作心态有所收敛。

　　据深圳华强北现货市场反馈，主流 DDR4 内存产品价格较 2025 年峰值回落约 10%-20%，但现价仍维持在高位。

　　“DDR4 从去年底到现在涨了五六倍，现在只是跌个十几块、几十块，像 DDR4 有的型号还是要 1800 元，比黄金都贵。”

　　相比之下，NAND（闪存）原厂甚至提出的涨幅价格翻倍，eMMC 嵌入式存储价格涨幅显著。多家电脑厂商证实，受存储部件成本持续攀升影响，中低端笔记本电脑价格已上调 5%-10%，部分游戏本计划节后提价最高 33%，游戏本最高要涨价千元。

　　据 CFM 统计数据，2025 年 DRAM / NAND Flash 市场规模历史上首次突破 2000 亿美元，同比增长 32.7% 至 2215.91 亿美元（IT之家注：现汇率约合 1.53 万亿元人民币）。

　　当前国际存储厂商库存处于低位，三星、SK 海力士、美光等企业正推动定价机制改革，计划将传统季度议价模式调整为供货后按市价结算的动态模式。产能方面，主要原厂预计 2026 年一季度 DRAM 芯片出货量增幅低于 5%，NAND 芯片增幅维持在 5%-10%，扩产项目普遍需至 2027 年下半年落地。

　　国产存储产能建设加速推进。长鑫科技和长江存储都在加速扩产。据 Omida 数据，长鑫科技的全球市场份额已增至 3.97%，成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商。Counterpoint 数据显示，长江存储 NAND 的全球出货量占比在 2025 年第一季度首次突破 10%，去年第三季度已提升至 13%。

　　随着国产存储产能加速扩产，半导体设备厂商已经逐步兑现业绩。中微公司介绍，由于先进逻辑器件和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，2025 年公司预计归母净利润 20.8 亿元至 21.8 亿元，同比增长约 28.74% 至 34.93%；测试设备厂商长川科技也预计去年实现盈利翻倍增长。

　　《日经亚洲》本月初还报道称，惠普、戴尔、华硕、宏碁等国际消费电子客户已经向国产存储原厂投来“橄榄枝”，首次将中国大陆内存芯片纳入采购考量范围。