2026年2月13日消息,SK海力士近日在IEEE全球半导体大会上发表论文,提出一种名为H³的新型混合半导体架构,该结构结合了HBM与HBF技术。
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据了解,通过融合HBM高带宽内存和HBF高带宽闪存的新型混合架构,将AI计算的能效比提升高达2.69倍,为AI芯片性能瓶颈提供了全新解决方案。在仿真实验中,将8颗HBM3E与8颗HBF芯片并置于英伟达Blackwell GPU旁,结果显示,相比仅使用HBM的配置,每瓦性能最高可提升2.69倍。这一架构通过优化存储层级,兼顾高速计算与高效能数据缓存,有望显著提升AI计算系统的能效比。
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目前该技术处于研究验证阶段,尚未宣布量产时间表。
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