北京
国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“半导体器件和半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN121487278A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，半导体器件包括有源层和复合栅极，有源层设置有沿第一方向延伸的沟槽；复合栅极包括沟槽栅极和水平栅极，沟槽栅极位于沟槽中，水平栅极设置在有源层的一侧，水平栅极包括互相连接的第一水平子栅和第二水平子栅，第一水平子栅沿第二方向延伸，第二水平子栅沿第三方向延伸，第二水平子栅与沟槽栅极连接，第一水平子栅沿第一方向的正投影与沟槽栅极沿第一方向的正投影不交叠；其中，第一方向、第二方向与第三方向呈交叉设置。本申请能够降低了零温度系数点，IGBT半导体器件不容易发生热失控，提升了IGBT的可靠性。
天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息511条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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