一文了解铜球键合技术演进

相较于传统的金（Au）丝键合，铜（Cu）丝凭借其卓越的电导率、热导率、抗电迁移能力及显著的成本优势，逐渐成为先进封装领域明星材料。【科准测控】持续关注键合技术的发展与进步，今天，跟随小编一起，系统了解铜球键合技术的科学演进与产业化实践过程。

1、 惰性氛围控制与专用设备开发

铜在高温下会快速氧化，如在键合过程中，通过电火花（EFO）熔丝成球的瞬间，后续热超声键合阶段，铜球表面都容易形成氧化层，而这将严重劣化其润湿性与变形能力，导致键合界面强度不足。因此，早期铜球键合研究主要聚焦于基础工艺的可行性：

惰性气氛下的成球控制：研究在氮气（N₂）或氩气（Ar）保护下，EFO参数（电流、时间、波形）与保护气体流量、纯度对铜球形貌、表面洁净度及一致性的影响规律。

可键合性窗口探索：系统分析在隔绝氧气的环境下，键合温度、超声功率、压力及时间等关键参数对Cu-Al界面初始结合强度（以剪切力、拉力为表征）的耦合作用。

芯片损伤机制与规避：鉴于铜材料硬度较高，探究键合能量传递至硅芯片导致的“弹坑”形成机理，并据此优化工艺参数，在确保键合强度与保护芯片完整性之间取得平衡。

这一阶段的技术突破，直接驱动键合设备系统性革新。从早期对现有金丝键合机进行气体密封改装，到如今主流设备制造商推出全集成、自动化的专用铜丝键合机，这些专用设备集成了高精度氛围控制系统、针对铜材料优化的EFO发生器及运动控制模块，为产业化提供了稳定的装备基础。

二、界面反应动力学与可靠性物理

当工艺氛围与设备瓶颈得以解决，决定键合点长期可靠性的微观界面问题便成为核心研究焦点。铝焊盘与铜球在热与超声能量作用下发生互扩散，并遵循Al-Cu二元相图，倾向于形成一系列富铜侧的金属间化合物，如AlCu、Al₂Cu、Al₃Cu₄、Al₄Cu₅等。这些IMCs具有独特的晶体结构，其电学、力学及热学性质与母材差异显著。

Al-CU二元相图（AICu40、AICu50）

这种多IMC相共存的界面结构与Au-Al键合系统失效（如“紫斑”、“白斑”现象）具有高度相似性。在Au-Al界面，多种IMC的生成及其伴生的柯肯达尔空洞、热膨胀失配等问题，常导致电阻升高和脆性断裂。因此，大量研究对Cu-Al与Au-Al系统进行了对比分析，重点关注：

反应动力学差异：Cu-Al IMCs的生长速率、激活能及序列形成规律与Au-Al系统不同，通常需要更高的温度或更长的老化时间才能形成显著厚度的IMC层。

微观结构与失效机制：不同Cu-Al IMCs的形貌、分布及其界面处的应力状态，如何影响微裂纹的萌生与扩展；电流负载下电迁移行为在Cu-Al界面的具体表现形式。

工艺-结构-性能关联：初始键合参数如何影响第一IMC相的形核与生长，进而决定老化后界面结构的演变路径。

三、精准工艺控制与高可靠性评估

早期研究多集中于实现初始键合，而一个真正“牢固的Al焊盘键合”，必须能够在高温存储、温度循环、高电流负载等严苛条件下，保持界面的电学与机械完整性。这要求技术研究向更深层次发展：

精细化工艺窗口界定：超越“可键合”范围，界定出能形成最优初始IMC结构（如连续、均匀、厚度适中）的工艺参数空间。

界面演化预测与监控：建立基于物理模型的IMC生长动力学方程，并结合科准测控倡导的高精度微观分析技术（如扫描电子显微镜、能谱分析），实现对界面老化状态的定量评估与预测。

失效物理模型构建：建立IMC厚度、空洞率、相组成与键合点电阻、机械强度退化之间的定量关联模型，为可靠性标准制定提供科学依据。

以上就是铜球键合的大致发展历程，当前，虽然专用设备已为其规模化生产提供稳定保障，但在汽车电子、航空航天等高可靠性领域的全面应用，仍需提高对Al-Cu界面反应更深刻的理解与更精准的调控。科准测控Alpha-W260 半导体全自动推拉力测试机通过精准测量键合点老化前后的力学性能衰减，将Al-Cu界面金属间化合物生长等微观风险转化为可量化的工程数据，为高可靠性应用提供关键的质量验证手段。