内存价格持续大涨 存储产业链格局生变

转自：证券日报

    本报记者 张文湘

    见习记者 占健宇

    2026年以来内存市场迎来快速上涨行情。2月9日，市场研究公司Counterpoint Research发布的《2月内存价格追踪报告》显示，2026年第一季度以来，内存价格较2025年第四季度末已上涨80%—90%，DRAM、NAND及HBM全品类价格均创历史新高，通用服务器DRAM成为本轮涨价核心推手。

    业内人士表示，行业供需格局调整之下，产业链各端正加速优化经营策略，国内存储企业则有望在海外大厂的产能布局变化中迎来国产化发展契机。

全板块价格加速上涨

    本轮内存市场呈现全板块价格加速上涨态势，上述Counterpoint Research报告显示，此前表现平稳的NAND闪存价格在2026年第一季度以来同步大涨80%至90%，叠加部分HBM3e产品价格走高，形成全品类涨价格局。以服务器级内存为例，64GB RDIMM合约价从2025年第四季度的450美元，飙升至2026年第一季度的900美元以上，且二季度有望突破1000美元关口。

    TrendForce集邦咨询分析师许家源向《证券日报》记者表示，2025年第四季度各类应用的DRAM合约价普遍上涨40%以上，2026年第一季度以来合约价再次出现大幅上涨。其中，DDR4市场供需失衡尤为突出，2026年第一季度涨幅进一步加速，预计第二季度仍将上涨。

    业内人士认为，本轮涨价的核心原因是供需失衡叠加海外大厂产能结构调整。群智咨询（Sigmaintell）总经理李亚琴向《证券日报》记者表示，AI（人工智能）算力中心建设开启带来服务器与内存需求激增，存储行业目前处于供不应求状态，且这一局面将长期存在，因为当前AI算力建设仍处于基础设施建设初期阶段。

    东芯半导体股份有限公司（以下简称“东芯股份”）在投资者调研活动中则提到，三星电子、铠侠、海力士、美光科技等海外存储巨头专注于大容量3D NAND Flash以及HBM和DDR5高端产品，普遍实施减产或产能调控策略，对SLC NAND Flash、利基型DRAM及DDR4等传统细分市场的投入与供给逐步减少，进一步加剧了DDR4市场的供需失衡，推动价格持续攀升。

    对于后续市场走势，李亚琴认为，2026年二季度后内存价格涨幅将逐季收敛，下半年部分品类将止涨，但短期内难以看到价格回落。

产业链冷暖分化

    本轮内存涨价直接推升上游厂商盈利水平，有业内人士分析，预计2026年第一季度，DRAM厂商营业利润率将突破历史峰值，行业将实现创纪录的盈利水平。

    国内相关企业也同步受益于行业上行周期，深圳市朗科科技股份有限公司1月29日在投资者互动平台上表示，全球存储行业处于上行周期，受供需格局改善及AI算力需求拉动，DDR内存价格呈行业性上涨，公司产能利用率良好，将动态优化排产；东芯股份2月9日亦在投资者互动平台称，公司存储产品市场需求逐步好转，市场价格已逐步回升。

    与上游的高盈利形成鲜明对比，下游原始设备制造商（OEM）正面临双重经营压力，消费电子成为受影响最大的领域。业内人士认为，2026年整体存储价格将处于高位，这将促使品牌厂商调整终端售价和产品结构。为应对成本压力，下游厂商纷纷采取降配、替代、调结构等措施。许家源表示，部分PC（个人计算机）及智能手机品牌将内存规格降级，并向模组厂寻求替代供应，预计2026年全球PC与智能手机出货量或将出现下滑。

    值得一提的是，本轮行业变化也为国内存储企业带来了国产化发展机遇。东芯股份在投资者调研活动中表示，随着海外大厂陆续退出传统存储细分市场，叠加国产化需求不断提高，公司在相关领域的市占率有望持续提升，迎来良好的发展契机。