北京
国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN121487315A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件。半导体器件具有第一区域，半导体器件包括：衬底；外延层，设置于衬底在第一方向上的一侧，外延层背离衬底的一侧开设有沟槽，沟槽包括位于第一区域内的第一沟槽，第一沟槽沿第二方向延伸，第一方向与第二方向相交；电阻结构，设置于第一沟槽内；绝缘层，设置于外延层背离衬底的一侧；栅极结构，设置于绝缘层背离衬底的一侧，栅极结构包括栅极绑定结构与栅极走线，栅极走线包括位于第一区域内的第一分段，栅极绑定结构位于第一区域并与第一分段在第二方向上间隔，其中，绝缘层开设有第一过孔和第二过孔，栅极绑定结构通过第一过孔与第一沟槽内的电阻结构连接，第一分段通过第二过孔与第一沟槽内的电阻结构连接。
天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息509条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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