北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“具有凸块下金属化的扇出半导体封装”的专利，公开号CN121487266A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本公开涉及具有凸块下金属化的扇出半导体封装。半导体封装包括：连接件，其连接到半导体芯片；第一再分布层，其包括第一再分布图案；第二再分布层，其包括第二再分布图案；以及凸块下金属化UBM焊盘，其设置在所述第二再分布层上；所述第二再分布图案包括与UBM焊盘对齐的再分布焊盘和在第一方向上延伸超过UBM焊盘的侧表面的侧表面；第一再分布图案包括第一再分布线，第一再分布线包括与再分布焊盘的第一边缘对齐的第一线和与再分布焊盘的第二边缘对齐的第二线；第一线的第一侧表面在第一方向上比再分布焊盘的第一边缘延伸得更远，并且第二线的第一侧表面在第一方向上比再分布焊盘的第二边缘延伸得更远。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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