三星电子或最早于本月第三周开始量产HBM4，高“设备”含量的科创半导体ETF（588170）近1月规模增长33.84亿元领先同类

截至2026年2月9日 13点34分，上证科创板半导体材料设备主题指数强势上涨2.16%，成分股兴福电子上涨8.78%，华海诚科上涨7.08%，晶升股份上涨6.26%，中船特气，华峰测控等个股跟涨。科创半导体ETF（588170）上涨2.08%，最新价报1.77元。

截至2026年2月9日 13点36分，中证半导体材料设备主题指数强势上涨2.25%，成分股华海诚科上涨6.85%，广立微上涨6.44%，晶升股份上涨5.72%，华峰测控，中船特气等个股跟涨。半导体设备ETF华夏（562590）上涨2.08%，最新价报1.92元。

流动性方面，科创半导体ETF盘中换手6.3%，成交5.12亿元；半导体设备ETF华夏盘中换手3.56%，成交9782.14万元。规模方面，科创半导体ETF近1月规模增长33.84亿元，实现显著增长，新增规模领先同类；半导体设备ETF华夏最新规模达26.91亿元。

资金流入方面，科创半导体ETF最新资金净流入8744.07万元。拉长时间看，近10个交易日内有6日资金净流入，合计“吸金”3.37亿元，日均净流入达3365.63万元；半导体设备ETF华夏最新资金净流出378.03万元。拉长时间看，近21个交易日内有15日资金净流入，合计“吸金”16.04亿元，日均净流入达7636.82万元。

消息面上，三星电子决定最早于本月第三周开始量产HBM4，这批产品将用于英伟达下一代人工智能计算平台Vera Rubin。在已通过英伟达认证测试的情况下，三星电子综合考虑Vera Rubin的上市计划，最终敲定了量产时间。业界预计，英伟达有望在下月举行年度开发者大会（GTC）上首次公开搭载三星电子HBM4的相关产品。

中邮证券指出，Rubin GPU集成了新一代高带宽内存HBM4，其接口宽度较HBM3e增加一倍。通过新内存控制器、与内存生态系统的深度协同设计及更紧密的计算-内存集成，Rubin GPU的内存带宽几乎达到了Blackwell的三倍。数量上，每颗Rubin GPUHBM4，容量288GB，带宽22TB/s，不再只是GPU附近的“高速缓存”，而是整个系统吞吐的硬约束。单价上，HBM4较3e显著提升，有望明显带动原厂的毛利率提升。

相关ETF：公开信息显示， 科创半导体ETF（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418）跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，囊括科创板中 半导体设备（60%）和半导体材料（25%）细分领域的硬科技公司。 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性，受益于人工智能革命下的半导体需求，扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展。

半导体设备ETF华夏（562590）及其联接基金（A类：020356；C类：020357），指数中半导体设备（63%）、半导体材料（24%）占比靠前，充分聚焦半导体上游。