北京
国家知识产权局信息显示，成都芯电慧芯科技有限公司申请一项名为“抗辐射功率器件及其制造方法”的专利，公开号CN121487307A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种抗辐射功率器件及其制造方法，包括第一导电类型外延层、形成于第一导电类型外延层中的第一导电类型区域与第二导电类型区域、形成于第一导电类型外延层上的栅极结构与源极金属层；所述源极金属层与部分栅极结构的氧化层上形成有抗辐射层。本发明在氧化层与金属层之间加入可吸附电荷的材料构成抗辐射层结构，以起到阻断宇宙射线中的带电粒子对电子元器件中未被金属覆盖区域的攻击，解决了原有功率器件抗辐射能力弱的问题，对器件起到保护作用；与此同时由于材料的可吸附电荷的特性，在吸附电荷后会与外延层及其分压环上高浓度离子注入区域产生电容结构，同时起到稳定分压环的效果，使器件即使存在微小损伤也可起到稳压效果。
天眼查资料显示，成都芯电慧芯科技有限公司，成立于2025年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本800万人民币。通过天眼查大数据分析，成都芯电慧芯科技有限公司专利信息6条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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