中国女博士李爱珍：4次申请进入中科院被拒，最终成美国外籍院士

1978年春天，上海衡山路的法国梧桐刚冒出嫩芽，一位42岁的女研究员拎着厚厚的实验笔记，走进冶金所那间不足二十平方米的实验室。她叫李爱珍，三天前刚在全国科学大会上登记完新的半导体课题。那一年，中国刚刚把“科学技术是第一生产力”写进文件，李爱珍却已在硅片和砷化镓之间苦战了整整二十载。

李爱珍1936年出生在福建晋江永宁镇，父亲是南洋华侨，家境殷实。十岁时，母亲把她和两箱英文原版教材一起送回国内求学。抗战结束不久的南国校园，教材短缺，她靠那两箱书一路读进复旦化学系。彼时同班五十多人里，女生只有七名，课余赶上吹拉弹唱的，她几乎一次不落，性子里多了股不服输的劲儿。

1958年毕业分到中科院上海冶金所，初来乍到能用的仪器屈指可数。要测光谱，得把教室里那台老旧分光计背到实验楼；要做外延生长，石英管只能用酒精灯慢慢烧。李爱珍常讲：“和材料打交道，必须先让自己变得像材料一样坚韧。”同事吴惠明打趣：“老李又在给硅片念咒。”实验室里便响起一阵大笑。

上世纪六十年代，国际半导体技术封锁日趋严苛，公开文献断档。李爱珍带着几位年轻人走访上海、无锡、北京多家工厂，硬是把军工产线的废品硅片凑成了第一批外延生长样品。1965年，国内第一块毫米波砷化镓外延晶圆在上海问世，标记“L.A.Z.65”——那是她名字拼音首字母缩写，亦是团队最珍贵的纪念。

“要想追上世界，就得看看别人怎么跑。”1979年，国家教委重启公派进修名额，上海冶金所获得二个指标。李爱珍把机会让给了年轻人，自己继续在国内深耕。直到1980年，所里再获一席，她这才飞赴美国卡内基·梅隆大学电子工程系。与美国同行第一次讨论外延缺陷机理时，她拿出一页页中英文对照笔记，对方惊叹：“You know every detail better than our own students！”

一年半后回国，她把在卡内基·梅隆改进过的双异质结构引入砷化镓量子阱激光器实验。1985年，实验样品连续工作寿命突破两千小时，刷新当年世界纪录。为了扩大成果转化，她四处奔波，先后在无锡和成都协助建成两条小试产线。1987年再次赴美访问，研究主题已从材料生长拓展到器件封装与可靠性测试。

然而，科研成就并没有为她打开院士之门。1993、1995、1997、1999年四次申报中科院学部委员均以落选告终。原因归结到一句话：论文数量、期刊影响因子不达标。有人劝她“多写几篇SCI”，她摇头：“把时间写成纸，不如写进器件性能。”那句掷地有声的话，至今在老同事口中仍清晰。

2000年以后，李爱珍身体大不如前，仍每天早七点半准时出现在实验室。学生们回忆，她习惯带着小凳子挨个工位查看数据，再蹲在角落里翻图纸。一天傍晚，外籍专家亨特博士来访，看完实验线后感慨：“Madam Li， you are the spirit of this lab.” 李爱珍笑了笑，用不太流利的英语回答：“I just do what I should do for my country.”

2007年，美国国家科学院宣布李爱珍当选外籍院士。消息传回国内，实验室里一片哗然，电话、传真、贺信接连不断。媒体关注的焦点却是“为何国内院士评不上”。有人替她不平，她摆摆手：“荣誉是旁人的事，研究是自己的事，我只记得祖国给我的机会。”

晚年的李爱珍依旧不谈个人得失。她更在意的是项目经费能否保障、年轻人有没有实验位置。2012年，她最后一次出差去无锡督促产线升级；2014年，在主持完砷化镓功率器件鉴定会后，才安心退休。病榻之上，她仍记挂着半导体外延硅上砷化镓的应力问题，让学生把最新测试曲线贴在床头。

回顾李爱珍的职业路径，可见一个朴素逻辑：先有国家需要，其次才是个人成就。论资历，她足以成为“院士中的院士”；论影响，她的量子阱激光器论文至今被国际同行高频引用。但她最常说的一句话却是“实验室灯别关，我还得回来看一眼。”这种深深扎根土地的专注，为中国半导体事业留下了清晰可循的坐标。

李爱珍把一生献给了材料生长、器件封装与学生培养。中科院门槛的高低，以及外籍院士的光环，都没能改变她的轨迹。她在“芯片铁娘子”之外，更像一盏长明灯，照亮了后来者手中的晶圆，也提醒后人：衡量科学家的标尺，不止字面上的数字，还有真正推动技术跃迁的那份笃定与韧劲。