HBM 4，三星率先量产

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业内人士周日表示，三星电子将在农历新年假期后开始出货其下一代高带宽存储器 HBM4，成为首家将这款被广泛认为是人工智能计算领域颠覆性芯片的存储器制造商。

三星计划最早于 2 月第三周开始向英伟达交付 HBM4，用于这家美国芯片巨头的下一代人工智能加速器平台 Vera Rubin。

此举标志着三星的战略反弹。此前，三星在HBM系列产品中的竞争力曾受到质疑。凭借HBM4，三星希望缩小与同城竞争对手SK海力士的差距，并有可能超越后者。SK海力士凭借人工智能数据中心需求的激增，率先取得了领先优势。

一位业内人士表示：“三星率先量产了性能最高的HBM4芯片，证明了其在技术领域的领先地位已经恢复。”

“这使该公司在按照自己的方式塑造市场方面拥有明显的优势。”

预计英伟达将在下个月举行的年度开发者大会 GTC 2026 上发布搭载三星 HBM4 显存的 Vera Rubin 加速器。三星表示，出货时间是在与英伟达的产品路线图和下游系统级测试计划协调后确定的。

除了速度之外，三星在该产品背后的技术理念也值得关注。从一开始，该公司就致力于超越JEDEC制定的标准，率先采用了业界第六代10纳米级DRAM（1c）工艺与自家晶圆厂生产的4纳米逻辑芯片相结合的技术。

因此，三星的HBM4可提供高达11.7 Gbps的数据传输速度，远超JEDEC的8 Gbps标准。这一数字比标准提高了37%，比上一代HBM3E提高了22%。

据消息人士透露，该内存堆栈的单栈带宽最高可达每秒3TB，约为上一代产品的2.4倍；12层堆叠设计可实现高达36GB的容量。业内人士估计，未来采用16层堆叠配置后，容量可能扩展至48GB。

消息人士称，尽管采用了尖端工艺，三星在大规模生产前已实现了稳定的良率，随着产量的扩大，预计良率还会进一步提高。

三星还强调了能效，指出 HBM4 的设计旨在最大限度地提高计算性能，同时降低能耗，帮助数据中心降低电力使用和冷却成本。

该公司预计今年的HBM销量将比上年增长三倍以上，并已决定在其平泽园区4号生产线增设生产线以扩大产能。业内人士透露，P4生产线计划每月生产约10万至12万片晶圆，专门用于生产HBM4产品中使用的1c DRAM。

到去年，三星已经建成了每月约6万至7万片晶圆的1c DRAM工艺产能。随着计划中的扩产，用于HBM4的1c总产量将增至每月约20万片晶圆，约占三星DRAM总产能（约78万片晶圆）的四分之一。

预计HBM4市场将由三星和SK海力士主导，美国美光科技实际上已退出竞争。市场追踪机构SemiAnalysis的数据显示，SK海力士预计将占据HBM4市场约70%的份额，而三星预计将占据剩余的30%。

美光退出HBM4竞争

分析显示，继三星电子和SK海力士之后的第三大DRAM供应商美光科技，实际上已经退出了第六代高带宽内存（HBM4）的竞争。预计英伟达、AMD等公司下一代AI芯片所需的HBM4芯片份额将由国内厂商瓜分。

半导体分析公司Semianalysis于当地时间7日将美光在英伟达下一代AI芯片Vera Rubin中HBM4的市场份额下调至0%。Semianalysis表示：“目前没有任何迹象表明英伟达正在订购美光的HBM4芯片”，并预测SK海力士将占据英伟达HBM4芯片供应量的70%，三星电子将占据30%。Vera Rubin是英伟达继Blackwell之后正在开发的下一代AI芯片，它将是首款采用HBM4芯片的芯片。此前，美光预计将供应约5%的HBM4芯片，但现在它已完全退出竞争。

美光退出竞标的原因在于其未能满足英伟达的规格要求。据TrendForce等市场研究公司和业内人士透露，英伟达在去年第三季度将HBM4的数据传输速度要求提高到11Gbps以上。尽管美光宣称其已达到11Gbps的速度，但业内人士认为该公司仍在努力达到这一标准。英伟达一直敦促HBM4生产商提升性能，以最大限度地发挥Vera Rubin芯片的潜力。

预计HBM4的供应竞争将最终演变为三星电子和SK海力士之间的双雄争霸。分析表明，三星电子将在本月内实现HBM4的量产并交付给英伟达，从而巩固其“第一供应商”的地位。SK海力士则表示，将凭借其在上一代HBM3E市场的绝对优势，继续保持HBM4市场的领先地位。

（来源：编译自theinvestor）

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