荷兰半导体专家：如果中国要复制ASML的光刻机并不难，但是他们并不会去复制，而是选择自主开发

在全球半导体产业链中，光刻机长期被视为核心“心脏”，是先进芯片制造的关键设备。而在这场被称为“技术之战”的博弈中，荷兰巨头 ASML 几乎垄断了全球最先进的极紫外光刻机（EUV）市场。面对美国等国家的技术封锁，特别是将最新的EUV设备列入出口控制清单，中国芯片产业的发展正处在最关键的攻坚阶段。

前ASML研究部科学家林楠博士与国际科技记者马克·海金克在观察者网等平台的访谈中提到，如果中国选择只是简单复制ASML的光刻机技术，这并不是一件“绝对不可能”的事，但技术人员并不会选择这种路径，因为那既浪费时间又不利于技术进步。

ASML是目前全球唯一能够量产极紫外光刻机的公司，其设备是Intel、台积电、三星等芯片巨头制造5nm甚至更先进工艺芯片的核心装备。在这背后，是几十年的技术积累、复杂的光学、真空、精密机械、控制软件和材料配套体系。

但从2019年起，美国政府将ASML的EUV设备纳入出口管制清单，禁止向中国出口最先进的EUV系统，以遏制中国在高端制程上的追赶。这一制裁直接导致中国芯片制造企业无法获取EUV光刻机，而这正是制造7nm及以下芯片的关键设备。

ASML CEO曾公开表示，这种出口限制将使得中国在先进芯片制造方面落后西方10至15年，因为中国即便掌握一定技术参数，想要从研发到可商用的完整光刻机系统，也需要巨大的时间与资源投入。

所谓“复制ASML光刻机并不难”的说法，并不是说只靠拆解零件或一张拼装图纸就能完成。正如海金克指出的，即便你掌握了光刻技术原理、图纸甚至零件，也仍然有巨大的工程学挑战需要解决。光刻机不是“积木”式产品，它要在纳米级别的精度中协同光学、机械、电子与软件系统，而这每一个环节都考验着研发力量与产业生态。

光刻机涉及极高的光学精度控制、超稳定真空系统、复杂光源（如EUV光源）、精准的光学对准和纳米级定位控制等多学科集成。这些东西不仅仅是掌握原理就能做出来，还需要长期的试错、材料研发、长期积累的工程经验。

ASML拥有超过4万名员工，其中大量是世界顶尖的光刻与系统工程人才。林楠博士等前ASML高级工程师回国参与国内研发团队的建设，是中国在人才层面的一大优势，但整体产业链的技术积累与人才建设仍需时间。

因此，即便从理论上“复制”并不是绝对不可能，依靠过往技术积累与外包体系构建“山寨版”，但这种方式并不能真正解决技术创新本质问题，更难以推动产业体系的长期发展。

在技术封锁与制裁压力下，中国选择了“自立更生”的光刻机研发路径，走自主创新之路，这不仅是技术选择，更是产业战略与国家安全的战略判断。

最具象征意义的例子是中科院上海光学精密机械研究所在林楠等人的带领下，在极紫外光源等核心技术领域取得了突破性进展，这对中国实现极紫外光刻机的自主研发具有里程碑意义。

此外，多个国内高校和研究机构同步加大人才培养与研发投入，逐步构建起包括光机电、材料、软件与系统集成在内的光刻机全产业链技术团队。

虽然中国尚未量产与ASML同等级别的极紫外光刻机，但在深紫外（DUV）光刻机领域已有本土设备在测试和验证中。例如，上海微电子等企业正在开发193nm ArF浸入式DUV机型，预计将支持到28nm工艺节点，结合多重曝光技术理论上可以推向更先进节点，这被视为国产光刻机技术的重要突破。

此外，有业内公司提出通过自对准四重图案（SAQP）等技术，用国产DUV光刻机配合复杂工艺路线在一定程度上替代EUV，为中国芯片制造争取时间与空间。

多家媒体报道和产业观察显示，中国科学家已在深圳等地构建了极紫外光刻机原型设备，该设备能够产生极紫外光源，甚至整个系统已经进入测试阶段。根据一些消息来源，这种原型设备有望在2028年前后达到可制造芯片的程度，尽管2030年才是更现实的商业化目标。

即便取得了阶段性成果，中国光刻机自研之路依然充满挑战：

技术成熟度差距仍大。如业内分析所言，中国设备在光学精度、光源稳定性、生产可靠性等方面仍与ASML的成熟系统存在不小差距。ASML耗时20多年才将EUV从实验室推向成熟商用，这种经验积累短期难以复制。

产业生态与材料工具配套薄弱。光刻机不是单一设备，它依赖于光刻胶、掩膜版、精密运动控制系统、高级检测与测量工具等成套配套产业，而这些领域中国仍在追赶阶段，自主可控率远不及欧美日联手构建的全球供应体系。

国际合作与人才竞争压力。全球半导体人才竞争激烈，高端光刻工程师更是稀缺资源。中国虽通过人才引进与培养取得突破，但长期人才积累仍需要进一步扩展。同时，全球技术合作中的政治经济因素，也使得自主研发之路更加复杂。

在这场关乎全球科技格局的竞争中，中国光刻机研发不仅是对技术极限的挑战，更承载着产业自主、供应链安全和国家战略的重任。从“不能买设备”到“自己造设备”，这一过程本身就是一种伟大的技术自觉。

可以预见的是，在未来几年里：中国的DUV光刻机将逐步实现商用，对7nm及以上工艺制造形成有效支撑；原型级极紫外光刻机将从实验阶段向实用迈进；人才培养、产业配套体系将不断完善；自主技术创新将推动中国芯片产业走向更高的自主可控水平。

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