北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“伪栅形成方法及半导体器件的形成方法”的专利，公开号CN121487325A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请公开了伪栅形成方法及半导体器件的形成方法，该伪栅形成方法包括：提供一衬底，衬底内形成有隔离结构，隔离结构上形成有用于构成伪栅的层叠结构；将隔离结构表面的位于层叠结构侧壁下的部分蚀刻掉，形成凹槽；在衬底上形成覆盖层叠结构侧壁的伪栅侧墙，伪栅侧墙填充满凹槽。本申请能够通过伪栅侧墙的在凹槽内填充的部分使得隔离结构表面上的结构得到有效保护。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1621条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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