北京
国家知识产权局信息显示，珠海楠欣半导体科技有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、功率器件”的专利，公开号CN121487286A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制备方法、功率器件。该制备方法包括：提供具有元胞区和终端区的基底；于基底上形成介质材料层，并图案化基底和介质材料层，以在基底内形成栅极沟槽，且保留下来的介质材料层构成第一介质层；于栅极沟槽内形成屏蔽栅结构，其中，覆盖在终端区的屏蔽栅极形成初始阻挡层，层叠设置的第一介质层和初始阻挡层构成初始阻挡结构；于填充区内形成层叠设置的绝缘层和栅极结构；去除部分初始阻挡结构，保留下来的初始阻挡结构构成阻挡结构；以栅极和阻挡结构作为掩模，对暴露的基底进行掺杂，以形成第一掺杂区和第二掺杂区。本申请能够提升阻挡结构的阻挡能力，进而提升了半导体器件的良率。
天眼查资料显示，珠海楠欣半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万。通过天眼查大数据分析，珠海楠欣半导体科技有限公司专利信息250条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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