北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法”的专利，公开号CN121463515A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，公开一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法，包括：提供一衬底，衬底包括第一器件区和第二器件区；第一器件区的第一有源区上形成有PMOS区栅极和PMOS栅极掩膜层；使PMOS栅极掩膜层的顶部暴露在第一器件区形光刻胶层外部；在第二器件区顶部以及PMOS栅极掩膜层顶部沉积一层沉积氧化硅层；去除第一器件区的光刻胶层；刻蚀去除第一有源区表面自然氧化硅层，进而蚀刻第一有源区的硅，在第一器件区的半导体衬底中形成U型沟槽；对U型沟槽采用TMAH蚀刻形成西格玛沟槽。本发明在进行源漏嵌入锗硅的过程中，避免了PMOS和NMOS的高度差产生，不会影响对后续制程产生影响。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1613条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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