北京
国家知识产权局信息显示，宁波众芯半导体有限公司申请一项名为“足部效应缺陷的改善方法”的专利，公开号CN121463788A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，一种足部效应缺陷的改善方法，所述方法包括：形成多个半导体初始结构；在各个半导体初始结构上分别形成厚度依次增大的光刻胶层，且厚度均值为预设的基准厚度；对各个光刻胶层进行曝光显影处理，以得到处理后光刻胶层；确定足部效应缺陷最小的一个或多个处理后光刻胶层，并采用其中一个处理后光刻胶层对应的光刻胶厚度替换所述基准厚度；其中，相邻厚度之间的厚度差是根据用于进行所述曝光显影处理的光波长与所述光刻胶层的折射率之商确定的。本发明可以提高光刻胶厚度的准确性，改进后续工艺发生偏差产生形貌异常的问题，有效提高晶圆良率和器件性能稳定性。
天眼查资料显示，宁波众芯半导体有限公司，成立于2022年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本98000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁波众芯半导体有限公司参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息3条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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