北京
国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“薄膜参考膜厚模型及其建模方法、光学膜厚测量模型的建模方法”的专利，公开号CN121456280A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种薄膜参考膜厚模型及其建模方法、光学膜厚测量模型的建模方法，其通过薄膜在晶圆表面或者薄膜表面上生长时的每周期生长量、生长周期数和孵化期，来构建适用于第一生长阶段的第一参考膜厚模型和适用于第二生长阶段的第二参考膜厚模型，能真实反映晶圆表面上连续生长和间断性生长的薄膜膜厚变化，当该薄膜参考膜厚模型为光学膜厚测量方案提供所需的参考膜厚时，参考精度远高于现有方法。本发明的光学膜厚测量方法，利用本发明的薄膜参考膜厚模型及其提供的参考膜厚数据为调教基准，来修正光学膜厚测量模型并建立对修正后的光学膜厚测量模型的测量结果进行补偿的补偿模型，从而能保证光学膜厚测量模型的测量结果准确性。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目192次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息963条，此外企业还拥有行政许可56个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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