北京
国家知识产权局信息显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司;徐州金龙湖泛半导体材料研究有限公司申请一项名为“硅碳负极材料及其制备方法、负极极片和电化学装置”的专利，公开号CN121460535A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请涉及电池技术领域，公开了硅碳负极材料及其制备方法、负极极片和电化学装置。硅碳负极材料包括：多孔碳基体，所述多孔碳基体满足：1≤Sv≤1.5，2≤A≤4，其中，Sv=(Dv90‑Dv10)/Dv50，A=Dv90/Dv10；纳米硅，所述纳米硅至少部分位于所述多孔碳基体的孔隙内；碳包覆层，所述碳包覆层包裹所述多孔碳基体的至少部分表面。硅碳负极材料具有较优的体积膨胀均匀性，可提高其组成的电极结构稳定性。
天眼查资料显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司，成立于2015年，位于徐州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本148571.4288万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏鑫华半导体科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目125次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息215条，此外企业还拥有行政许可51个。
徐州金龙湖泛半导体材料研究有限公司，成立于2023年，位于徐州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，徐州金龙湖泛半导体材料研究有限公司参与招投标项目7次，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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