浙江
书生家电网报道，全球存储芯片供应持续紧张之际，中国最大的闪存制造商正以超常规速度推进其最新制造基地的建设。位于武汉的长江存储第三座晶圆厂，原定的2027年量产目标，有望大幅提前至2026年下半年。这一速度挑战了半导体建厂的传统周期。
根据公开信息，该项目于2025年9月动工，注册资本达207.2亿元人民币，是武汉计划的第三个千亿级集成电路项目。近期，业内消息显示，长江存储已开始密集下达生产设备采购订单，并同步启动工厂设置作业。在工厂主体建筑尚未完全竣工的情况下，部分设备已计划搬入并进行早期调试。这种被称为“弯道超车”的并行策略，将动工到量产的时间压缩至一年半左右，在业内极为罕见。
项目现场画面显示，工人正在安装巨型洁净厂房设备。项目负责人对外表示，该厂计划于2026年完工投产，预期将带动上下游超过200家企业聚集。
此次急速扩张的背景，是全球存储器市场可能迎来新一轮的“超级循环”周期。当前，DRAM(动态随机存取存储器)价格处于高位，对下游消费者和手机品牌构成压力，但也为中国存储芯片制造商创造了市场切入机会。有行业报告指出，部分国际终端厂商，如惠普，已在评估引入包括长鑫存储、长江存储在内的中国供应商以保障供应链。
另一方面，长江存储自身的资本化进程也在同步推进。市场消息称，公司正考虑于2026年第一季度在上海科创板或深圳创业板上市，估值可能达到3000亿元人民币。新厂的快速量产能力，将成为其强化全球竞争地位、支撑资本市场预期的关键一环。
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