北京
国家知识产权局信息显示，连科半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅生长炉”的专利，公开号CN121451282A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明属于晶体加工技术领域，具体的说是一种碳化硅生长炉，包括设备主体，设备主体顶端的一侧安装有炉体，炉体内部的中部固定有内胆，内胆的外部固定有加热器，设备主体靠近炉体的一侧固定有支撑杆，支撑杆的外部套设有升降架，升降架的一侧固定有密封盖，支撑杆的顶端转动连接有连接架，连接架的底端安装有多个第一油缸，第一油缸的底端与密封盖的顶端固定连接，密封盖的底端设置有一对夹持环，夹持环的中部能够夹持籽晶盘，升降架的另一侧设置有装料箱；通过第一油缸带动密封盖升起，使升降架转动带动装料箱和密封盖调换位置，可使密封盖从炉体内部移出进行放料，并在此同时装料箱对内胆内部底端铺设碳化硅粉末。
天眼查资料显示，连科半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本11312.5万人民币。通过天眼查大数据分析，连科半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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