北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“抑制沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管回滞效应的方法”的专利，公开号CN121463480A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种抑制沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管回滞效应的方法，该方法针对低开启电压短沟道器件中因台面拐角处形成寄生NPN三极管而导致的回滞问题。该方法包括以下步骤：首先，在半导体衬底的体区中进行源区注入以形成源区；接着，在栅极和源区上沉积一层层间介质层，用以覆盖栅极；最后，对源区进行推扩处理。通过在高温推扩前预先沉积层间介质层，有效阻断了栅极内掺杂剂向外扩散的路径，从根源上抑制了寄生NPN三极管的形成。本发明能够显著提升器件的耐压稳定性，消除回滞现象，提高器件可靠性和生产良率。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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