北京
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“一种芯片、制备方法及电子设备”的专利，公开号CN121463485A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请公开了一种芯片、制备方法及电子设备，芯片包括VFET，VFET包括垂直沟道、堆叠结构、凹槽结构及第一电极，垂直沟道沿垂直于衬底的方向延伸，堆叠结构包括栅极结构和第一隔离介质层，第一隔离介质层设置于栅极结构背向所述衬底一侧，凹槽结构设置于堆叠结构背向衬底一侧，形成的第一电极完全填充凹槽结构的底部，第一电极朝向衬底一侧的边角形成有多晶区域，以采用多晶区域中的第一电极填充现有技术中的空气间隙，减少了空气间隙的存在，并采用多晶区域中的第一电极作为支撑，提高了VFET结构的稳定性和可靠性。并且，基于形状规整的第一电极作为掩膜，有利于后序采用自对准工艺形成栅极结构的过程，提高后序自对准工艺的精确性。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1709个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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