北京
国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN121463734A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：衬底；设于所述衬底表面上的刻蚀停止层；设于所述刻蚀停止层表面上的多个注入掩膜，相邻两个所述注入掩膜之间具有开口；所述刻蚀停止层包括自所述开口的底部上露出的第一部分，和位于所述注入掩膜下方的第二部分，所述第一部分的厚度自中间向两侧逐渐减小。本申请可在通过开口对衬底进行离子注入时，利用第一部分的特殊形貌，对形成的离子注入区的底部轮廓进行提前补偿，可以显著减小在衬底中的注入深度不一致性，使形成的离子注入区的底部轮廓更为平整，从而能避免引发漏电等电性问题，提高了器件的可靠性。
天眼查资料显示，上海邦芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本6166.6668万人民币。通过天眼查大数据分析，上海邦芯半导体科技有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目17次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息224条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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