北京
国家知识产权局信息显示，深圳市智创谷技术有限公司申请一项名为“一种镀膜均匀且靶材利用率高的磁控溅射镀膜方法”的专利，公开号CN121428494A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种镀膜均匀且靶材利用率高的磁控溅射镀膜方法，属于薄膜制备技术领域，该方法通过“预处理‑溅射‑沉积‑后处理”全流程协同优化实现高精度镀膜：基板预处理采用氩气+氢气双气源梯度活化，搭配射频脉冲聚焦轰击对基板进行清理；靶材溅射用含温度补偿线圈的电磁线圈组，结合激光轮廓传感与PID自适应算法动态调磁场，配直流脉冲‑射频复合电源防靶材问题；沉积阶段以石英晶体仪闭环控膜厚，金属膜脉冲供气、化合物膜调反应气体相位；后处理依X射线应力仪数据梯度升温，氩气动态保护防杂质。本发明采用上述的一种镀膜均匀且靶材利用率高的磁控溅射镀膜方法，提升了镀膜的均匀性和靶材利用率，并提升了镀膜的工艺适应性与稳定性。
天眼查资料显示，深圳市智创谷技术有限公司，成立于2015年，位于深圳市，是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市智创谷技术有限公司专利信息24条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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