DRAM 芯片的常用术语

1. DRAM 的基本概念类术语

1.1 DRAM（Dynamic Random Access Memory）

动态随机存储器，用来存放系统正在运行的数据。
特点是速度快、容量大、成本相对可控，但断电后数据会丢失，需要持续供电和定期刷新。

1.2 Volatile Memory（易失性存储）

指断电后数据会消失的存储器。
对产品经理来说，这意味着 DRAM 不能存程序和用户长期数据，只负责“运行时”。

1.3 Refresh（刷新）

DRAM 内部的数据会自然漏电，必须定期重新写入来保持数据。
刷新会占用时间和功耗，是 DRAM 天生的成本和功耗来源。

2. DRAM 的代际与类型术语 2.1 DDR（Double Data Rate）

双倍数据速率内存，在时钟的上升沿和下降沿都传输数据。
DDR 是 DRAM 的主流技术路线。

2.2 DDR3 / DDR4 / DDR5

代表 DRAM 的不同代际：

• 代际越新，速度更高

• 单颗容量更大

• 功耗更低
  但成本和平台门槛也更高。

低功耗版 DDR，主要用于手机、平板、车载等电池供电设备。
相比普通 DDR，更省电，但封装和系统设计更复杂。

3. 容量与组织结构相关术语 3.1 Density（单颗容量）

表示一颗 DRAM 芯片能存多少数据，单位通常是 Gb（千兆比特）。
需要注意：8Gb 等于 1GB，单位很容易被误读。

3.2 Die（晶粒）

一颗 DRAM 芯片内部的硅片。
多 Die 叠加可以做出更大容量的产品。

3.3 Rank（秩）

一组可以被独立访问的 DRAM 芯片集合。
Rank 多意味着并行度高，可能带来性能提升，但功耗和成本也会上升。

3.4 Bank（存储银行）

DRAM 内部被划分成多个小区域，每个 Bank 可以独立操作。
Bank 越多，同时处理数据的能力越强。

3.5 Bank Group

DDR4 和 DDR5 引入的概念，把 Bank 再分组，提高并行访问效率。

4. 性能相关术语（客户和市场高频） 4.1 Data Rate（数据速率）

表示每秒能进行多少次数据传输，单位是 MT/s。
数值越大，理论带宽越高。

4.2 Bandwidth（带宽）

单位时间内能传输的数据总量。
带宽由数据速率和总线位宽共同决定。

4.3 Latency（延迟）

从系统发出读请求到数据真正返回所需的时间。
延迟影响系统响应速度和用户体验。

4.4 CAS Latency（CL）

最常见的延迟指标，表示等待数据返回需要多少个时钟周期。
不能只看 CL 数字，必须结合频率一起理解。

5. 功耗与电压相关术语 5.1 Operating Voltage（工作电压）

DRAM 正常工作的电压水平。
代际越新，电压越低，对功耗控制越有利。

5.2 Active Power（工作功耗）

DRAM 在读写操作时消耗的功率。
与频率、访问强度密切相关。

5.3 Standby Power（待机功耗）

DRAM 不进行读写时的功耗，仍然需要维持刷新。

5.4 Self Refresh（自刷新）

DRAM 在低功耗模式下自行完成刷新操作，CPU 不参与。
常用于待机和休眠场景。

6. 可靠性与稳定性相关术语 6.1 ECC（Error Correcting Code）

错误校验与纠错机制，可自动修正小概率的数据错误。
服务器、车规和工业产品中非常关键。

6.2 Soft Error（软错误）

由宇宙射线或电噪声引起的瞬时数据错误，不会损坏芯片。
ECC 的主要防护对象。

6.3 Retention Time（保持时间）

DRAM 在不访问的情况下数据能维持的时间。
温度越高，保持时间越短，刷新频率需要提高。

7. 封装与形态相关术语 7.1 Package（封装）

芯片的物理外形和引脚形式。
不同封装影响成本、尺寸、散热和供应链选择。

7.2 PoP（Package on Package）

上下叠加封装形式，常见于手机。
DRAM 叠在处理器上方，节省空间但制造难度高。

7.3 Module（模组）

由多颗 DRAM 芯片和电路板组成的成品内存，如 DIMM。
多用于 PC 和服务器。

8. 测试与量产相关术语 8.1 Yield（良率）

生产过程中合格芯片的比例。
直接影响成本、价格和交付能力。

8.2 Speed Bin（速度分档）

同一设计的 DRAM 按测试结果分成不同速度等级出售。
是厂商重要的定价和利润手段。

8.3 Burn-in（老化测试）

在高温高压条件下运行芯片，提前暴露早期失效。
服务器和车规产品常见。

9. 产品经理理解 DRAM 的核心逻辑

对产品经理而言，DRAM 不是单纯的“越快越好、越大越好”，而是以下因素的综合平衡：

• 应用场景

• 成本目标

• 功耗限制

• 性能需求

• 可靠性等级

真正的产品决策，是在这些约束条件下选择“刚好合适”的 DRAM。

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