北京
国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种光电器件及其制备方法”的专利，公开号CN121432628A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开一种光电器件及其制备方法，提供一透明绝缘衬底，所述衬底形成有铌酸锂薄膜，刻蚀所述铌酸锂薄膜形成铌酸锂波导；在所述衬底以及所述铌酸锂波导上形成第一氧化硅层，得到第一晶圆；提供一硅衬底，在所述硅衬底上依次形成第二氧化硅层与氮氧化硅层，刻蚀所述氮氧化硅层形成氮氧化硅波导；在所述硅衬底及所述氮氧化硅波导上形成第三氧化硅层，得到第二晶圆；将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合并进行退火处理；去除所述第二晶圆的硅衬底，并减薄所述第二氧化硅层；依次形成热调电阻与电极，完成器件制备。实现氮氧化硅波导与铌酸锂波导异质集成，得到高性能光学器件。
天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目487次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息813条，此外企业还拥有行政许可46个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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