国家知识产权局信息显示,上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种光电器件及其制备方法”的专利,公开号CN121432628A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本发明公开一种光电器件及其制备方法,提供一透明绝缘衬底,所述衬底形成有铌酸锂薄膜,刻蚀所述铌酸锂薄膜形成铌酸锂波导;在所述衬底以及所述铌酸锂波导上形成第一氧化硅层,得到第一晶圆;提供一硅衬底,在所述硅衬底上依次形成第二氧化硅层与氮氧化硅层,刻蚀所述氮氧化硅层形成氮氧化硅波导;在所述硅衬底及所述氮氧化硅波导上形成第三氧化硅层,得到第二晶圆;将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合并进行退火处理;去除所述第二晶圆的硅衬底,并减薄所述第二氧化硅层;依次形成热调电阻与电极,完成器件制备。实现氮氧化硅波导与铌酸锂波导异质集成,得到高性能光学器件。
天眼查资料显示,上海新微技术研发中心有限公司,成立于2013年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析,上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业,参与招投标项目487次,财产线索方面有商标信息52条,专利信息813条,此外企业还拥有行政许可46个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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