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据坊间最新可靠消息来源爆料,AMD即将推出的Zen 6 CPU架构,将针对性提升L3缓存容量,以适配其核心复合体(CCD)核心数量的增加。
具体而言,Zen 6处理器的标准CCD将采用12核设计,同时配备高达48MB的L3级缓存,从而保持与前代相同的每核心L3缓存比例(4MB/核心)。
Zen 6 CCD的裸片面积约为76平方毫米,相较Zen 5的约71平方毫米增加了7%左右。尽管核心数与L3缓存容量均提升50%,但得益于台积电N2(2nm级)工艺的更高晶体管密度,裸片尺寸的增幅得到了有效控制。
这也让Zen 6成为自Zen 3以来,首个裸片面积超过前代架构的Zen系列处理器。作为参考对比,Zen 3系列处理器的CCD约为83平方毫米,而Zen 4、Zen 5系列处理器的CCD面积则分别缩小至约73平方毫米、71平方毫米。
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以下为各代Zen CCD主要规格对比:
1. Zen 2 CCD:8核(2×4核CCX),32MB L3(2×16MB),台积电N7工艺,约77mm²
2. Zen 3 CCD:8核,32MB统一L3,台积电N7工艺,约83mm²
3. Zen 4 CCD:8核,32MB统一L3,台积电N5工艺,约72mm²
4. Zen 5 CCD:8核,32MB统一L3,台积电N4工艺,约71mm²
5. Zen 6 CCD:12核,48MB统一L3,台积电N2工艺,约76mm²
总体而言,Zen 6引入12核CCD设计,是一次重大的结构性变革。此前自Zen 3开始,AMD便实现了8核统一L3共享设计,彻底消除了Zen 2及更早世代中,跨CCX访问需经过Infinity Fabric的延迟瓶颈。
Zen 6则首次在标准消费级核心上,实现了每CCD核心数量的实质性提升,让12个核心可完全共享同一块48MB L3缓存,有望大幅提升多线程数据局部性与整体运行效率。
AMD已确认,Zen 6是一款全新从头设计的架构,重点强化多线程性能,同时采用台积电N2工艺节点(删除多余空格)。该节点相较前代可带来15%左右的晶体管密度提升,以及相同功耗下最高15%左右的性能增益。这些工艺优势,正是Zen 6能实现更高核心密度、同时控制裸片面积微增的关键。
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目前,尚无Zen 6 X3D变体的具体规格细节披露,但鉴于3D V-Cache技术在游戏及特定专业工作负载中的巨大成功,AMD大概率会推出配备额外堆叠缓存的Zen 6 X3D型号。更高的基础L3缓存容量(48MB vs Zen 5的32MB),将为未来的X3D版本提供更大的缓存扩展空间,有望进一步强化游戏性能和专业应用表现。
需要强调的是,以上信息均来自泄露渠道(以HXL为代表),截至2026年1月尚未获得AMD官方证实,准确性仍有待后续验证。小编将在第一时间分享更多相关最新动态和爆料,敬请关注。
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