北京
国家知识产权局信息显示，湖南元芯传感科技有限责任公司取得一项名为“一种IGZO底栅器件”的专利，授权公告号CN223859534U，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本实用新型公开一种IGZO底栅器件，包括：衬底层结构；设置在衬底层结构上的栅极层结构；覆盖设置在衬底层结构和栅极层结构上的绝缘层结构；设置在绝缘层结构上，且位于栅极层结构上方的沟道层结构，沟道层结构具体为半导体沟道材料的沟道层结构；设置在绝缘层结构上的源电极绝缘层结构和漏电极绝缘层结构，源电极绝缘层结构搭设在沟道层结构的一端，漏电极绝缘层结构搭设在沟道层结构的另一端；绝缘层结构设置有栅极触点开孔绝缘层结构，栅极触点开孔绝缘层结构连通至栅极层结构的表面，本实用新型提供的技术方案，相对于现有技术而言，其能够有助于实现器件阈值电压的均匀分布，提升器件结构的稳定性。
天眼查资料显示，湖南元芯传感科技有限责任公司，成立于2022年，位于湘潭市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本600万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南元芯传感科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息23条，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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