北京
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国家知识产权局信息显示，卡尔蔡司SMT有限责任公司申请一项名为“防止PRT SEM放电中的ESD”的专利，公开号CN121420373A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明尤其涉及一种用于影响样品的电荷状态的方法，该方法包括：为了分析和/或处理样品而将带电粒子束引导到样品上，其中粒子束的粒子通过第一加速电压加速到样品上并且导致样品的充电；以及为了影响样品的充电而将带电粒子束引导到样品上，其中粒子束的粒子通过第二改变的加速电压加速到样品上，该第二改变的加速电压为第一加速电压的至少15%。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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