上海
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随着硅基芯片性能逼近物理极限，全球科学家正在寻找替代方案，以二硫化钼为代表的二维半导体就是其中之一。30日，国际顶级学术期刊《科学》在线发表南京大学王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作论文，他们创新研发“氧辅助金属有机化学气相沉积技术”，突破了制约大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题。
《科学》审稿人认为，此次研究攻克了传统金属有机化学气相沉积技术长期难以解决的动力学限制与碳污染难题，对加快推动二维半导体从实验室走向生产线具有重要意义。（新华社）
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