北京
国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“单晶等径生长过程中液口距的控制方法、装置、电子设备及存储介质”的专利，公开号CN121407204A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供单晶等径生长过程中液口距的控制方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体拉晶技术领域，在单晶等径生长过程中，获取当前周期直径测量值、晶棒拉速检测值、直径设定值及晶棒拉速设定值；基于当前直径测量值、直径设定值计算当前直径偏差值；基于当前晶棒拉速检测值与晶棒拉速设定值计算当前晶棒拉速偏差值；基于当前直径偏差值、晶棒拉速偏差值计算当前坩埚上升速度调整值，输出所述当前坩埚上升速度调整值以调整当前实际坩埚上升速度进而控制液口距；通过上述对液口距进行实时控制，以使等径环节的液口距更加趋近于当前目标液口距，从而满足工艺需求。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息369条，此外企业还拥有行政许可25个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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