双纪录加冕！SK海力士业绩又爆了

刚刚！SK海力士公布史上最强业绩。

今日，SK海力士正式发布2025年第四季度及全年财报，一组组创纪录的数据为全球半导体行业的“超级牛市”写下注脚。

2025财年SK海力士营业收入为97.1467万亿韩元，营业利润为47.2063万亿韩元（营业利润率为49%），净利润为42.9479万亿韩元（净利润率为44%）。此次业绩远超2024年创下的历史最高记录。营收同比增长逾30万亿韩元，营业利润也实现翻倍增长，刷新了历史最高年度业绩。

单季度来看，第四季度SK海力士同样创下了季度历史最佳业绩：营收为32.8267万亿韩元，环比增长34%，营业利润为19.1696万亿韩元，环比增长68%，营业利润率达58%，三项指标均刷新历史记录。

爆火的，不止HBM

SK海力士此次业绩爆发的核心驱动力，无疑是AI催生的HBM需求狂潮。

SK海力士表示，在DRAM业务领域，HBM销售额同比增长逾一倍，成为创下历史最高业绩的核心动力。通用DRAM方面，公司已正式量产第六代10纳米级（1c）DDR5 DRAM，并成功开发基于第五代10纳米级（1b）32Gb单片的业界最高容量256GB服务器DDR5 RDIMM模块，进一步巩固在服务器模块市场的领导地位。

在NAND闪存业务领域，在上半年需求疲软之际，完成了321层QLC产品研发，下半年通过应对企业级固态硬盘（eSSD）为主的需求，创下了年度销售额历史新高。

随着AI市场从训练向推理转型，分布式架构的需求将持续扩大，存储器的重要性也将进一步凸显。不仅HBM等高性能存储器需求增长，面向服务器的DRAM和NAND闪存等整体需求也将同步扩大。

值得注意的是，SK海力士目前是全球唯一可以同时稳定供应HBM3E和HBM4的厂商。

2025年9月，SK海力士成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，并在全球首次构建了量产体系。据悉，SK海力士已成功拿下英伟达HBM4超过三分之二的供应订单，占比接近70%。这一数据远超此前市场普遍预期的50%左右，意味着HBM4内存市场的竞争格局正加速向SK海力士倾斜。业内分析指出，SK海力士自2025年9月率先建立HBM4量产体系以来，在样品验证阶段未出现重大问题，良率表现优异，成为其斩获大单的关键因素。

相比之下，竞争对手三星电子虽已通过英伟达和AMD的HBM4最终质量测试，并计划于2026年2月起正式供货，但起步时间明显落后。过去两年，三星在HBM3E阶段因良率与散热问题屡屡受挫，错失了与英伟达深化合作的窗口期。

下一步，SK海力士怎么走？

日前，SK海力士预测，通用型DRAM的供应紧张状况将延续至2028年，受影响的产品包括DDR4/DDR5、GDDR6/GDDR7以及LPDDR5x/LPDDR6。SK海力士指出，现有供货商的库存已被消耗至历史低位，进一步加剧分配压力。主流内存厂商都采取了相对保守的产能扩张策略，侧重于维持获利能力，而非向市场投放大量的DRAM供给，使得服务器DRAM的需求几乎呈指数级成长，预计2026年增加速度将会更明显。

面对持续火爆的AI存储需求，SK海力士已明确后续战略布局。在通用DRAM方面，计划将加速推进1c工艺转换，扩大面向AI的SOCAMM2、GDDR7等存储器产品组合。在NAND闪存方面，将通过转向321层堆叠技术最大化产品竞争力，同时利用Solidigm的QLC企业级固态硬盘（eSSD，enterprise SSD），积极满足面向AI数据中心的存储器需求。

产能方面，SK海力士计划提前实现韩国清州M15X工厂产能最大化，并通过建设韩国龙仁集群首座工厂（Fab），中长期稳步扩充生产基础设施，同时将顺利推进韩国清州P&T7工厂和美国印第安纳州先进封装（Advanced Packaging）工厂，构建融合前端与后端工艺的全球一体化制造能力。

目前，清州已是 SK 海力士在韩国的重要生产枢纽，园区内集中了 M11、M12、M15 等多座晶圆厂，以及现有的封装与测试设施。SK海力士预计，即将投产的 M15X 晶圆厂将与新规划的封装设施形成协同效应，使清州具备覆盖 NAND、DRAM 及 HBM 全流程的生产能力。

业绩爆发的同时，SK海力士推出大规模股东回报政策：实施每股1500韩元的额外分红，总规模达1万亿韩元，2025财年每股股息最终达3000韩元，总回报规模2.1万亿韩元；此外，公司将注销1530万库存股（占总股本2.1%，约合12.2万亿韩元），以提升每股价值。“我们将保持未来投资、财务稳健性与股东回报的最佳平衡，巩固AI时代核心基础设施合作伙伴地位。”SK海力士Corporate Center负责人宋炫宗社长表示。

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