北京
国家知识产权局信息显示，合肥硅臻芯片技术有限公司申请一项名为“一种多量子比特纠缠态产生装置和产生方法”的专利，公开号CN121390345A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，申请公开了一种多量子比特纠缠态产生装置和产生方法，包括纠缠态准备模块、多层量子编码模块、探测模块、控制模块，多层量子编码模块包括n层测量编码结构，控制模块通过路径编码单元对不同路径输入的光子进行测量基设置和路径编码，使得不同路径输入、代表不同n量子比特基态的光子经由不同的路线后从不同的路径编码单元输出并进入相应的单光子探测器，在多个周期的测量编码后对探测模块中所有的单光子探测器的探测结果进行统计分析，获得具有r个基态的n量子比特纠缠态。多量子比特状态的构建过程被转化为多层量子测量过程，减少所需设置的干涉单元的数量、空间以及控制信号数量，从而降低了量子计算测控系统的复杂度和成本。
天眼查资料显示，合肥硅臻芯片技术有限公司，成立于2020年，位于合肥市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1420.3806万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥硅臻芯片技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息108条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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