北京
分享至
国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“光电探测器及其制备方法”的专利，公开号CN121398236A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种光电探测器及其制备方法，通过设置自P电极接触层表面向内延伸至吸收层内部的微纳孔，以减少光电探测器的结体积，降低结电容，从而在不改变吸收层厚度的情况下有效提升光电探测器的RC限制带宽，保证光电探测器在保持高响应度的同时提升光响应速度；另外，光线入射进入微纳孔中时会产生衍射和光学共振现象，能有效提升光学耦合效率，从而达到高量子效率，进一步提高响应度。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目843次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息131条，此外企业还拥有行政许可83个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
