北京
国家知识产权局信息显示，锐石创芯（深圳）半导体有限公司申请一项名为“低噪声放大电路的版图结构、射频芯片及射频前端模组”的专利，公开号CN121396091A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种低噪声放大电路的版图结构、射频芯片及射频前端模组，其中低噪声放大电路包括放大晶体管和偏置晶体管，放大晶体管包括沿第一方向排列的第一放大单元和第二放大单元，第一放大单元为常通单元，第二放大单元用于根据对应的增益档位控制信号导通；偏置晶体管与放大晶体管连接，并且，偏置晶体管包括第一偏置单元和第二偏置单元，第一偏置单元和第二偏置单元沿第一方向布设在第一放大单元的两侧，其中，第一偏置单元或第二偏置单元设置在第一放大单元与第二放大单元之间。通过将偏置晶体管拆分为至少两个偏置单元，使偏置晶体管与放大晶体管因工艺偏差对增益的影响互相抵消，从而提升低噪声放大电路的增益准确性。
天眼查资料显示，锐石创芯（深圳）半导体有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3600万人民币。通过天眼查大数据分析，锐石创芯（深圳）半导体有限公司专利信息187条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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