HBM4量产在即，三巨头各走各路，技术路线悄悄分家

2026年刚过完年，存储圈就热闹起来，SK海力士说他们在九月份已经把HBM4开发完成，现在正全力投入生产，三星在新年讲话中提到“Samsung is back”，并且拿到了英伟达的PRA认证，很明显是冲着AI芯片订单去的，美光也确认了，他们会在今年第二季度开始量产出货，下半年逐渐增加产量，这三家公司的目标都是一样的，就是要把带宽都做到2.2TB/s以上，比JEDEC标准还要高一些，这件事不简单，因为AI训练卡现在卡在内存带宽上，HBM4要是真能稳稳落地，算力瓶颈很可能就会松动。

SK海力士的做法很实际，它采用16层堆叠方式，实现48GB容量和2TB/s带宽，逻辑芯片交给台积电制造，使用的是12nm工艺，关键在于封装技术，他们自己开发了MR-MUF方法，把芯片厚度降到30微米，一次回流焊接就能完成连接，同时控制总高度在775微米以内，M15X工厂原计划2026年年中投产，现在提前到今年二月，专门用来生产HBM3E和HBM4产品，之后还有P&T7封装厂在2027年建成，前端DRAM和后端封装可以内部闭环运行，节省不少协调成本，这种合作加自研的方式风险低见效快，适合稳步发展的公司。

三星走了另一条路，它坚持自己完成全部环节，DRAM、逻辑芯片和3D封装都在自家4纳米工厂里搞定，没有跟随MR-MUF的风潮，转而采用混合键合技术，电气性能更好，良率也提高了，1c工艺的良率接近百分之六十，刚刚超过盈亏线，去年底在中低速段实现了11Gb每秒的全球最高速度，今年2月在ISSCC大会上要发布新产品，带宽直接达到3.3TB每秒，比上一代增长百分之三十七点五，这一步有点赌，但一旦成功，其他企业在短期内很难追上，不过全自研也有代价，投入大、周期长，万一哪个环节卡住，整条生产线都得停下来。

美光的节奏虽然慢，但方向很清楚，它只堆了12层，带宽却号称超过2.8TB/s，数据速率也保持在11Gb/s以上。核心部分用的是美光自己设计的CMOS基础芯片，逻辑部分还是交给台积电代工，和SK海力士的做法差不多，但美光更注重省电，在相同带宽下功耗更低。HBM4E要等到2027年才上市，等于给自己留了一手。产能方面，目前美光每个月生产HBM只有5.5万片，到2026年目标提高到1.5万片每月，整体数量仍然是最少的。我猜美光不是不想扩大产量，而是想等技术更加稳定之后再增加供应，因为美光过去几年在HBM这方面吃过亏。

说到产能这个事，数字就很能说明情况，2025年年底的时候，三星和SK海力士每个月都能生产15万片HBM晶圆，美光这边只有5.5万片，到了2026年，SK海力士计划再增加5.5万片的月产量，让总的HBM产能提升到每月5.5到6万片之间，三星虽然没有给出具体的增长幅度，但整体趋势还是保持稳定上升的，美光的步子就迈得比较小，这里还有个细节值得注意，SK海力士的HBM产能占它DRAM总产能的28%，三星占到23%，美光只有16%左右，从这组比例就能看出来，哪家企业在HBM上投入得更坚决。

地理布局藏着不少门道，SK海力士把高端前段生产线都放在韩国利川和清州，M15X工厂是全球第一家专门做HBM3E和HBM4的DRAM制造厂，美国那边只负责封装环节，无锡厂管的是成熟制程这一块，三星所有产线都在韩国境内，完全不依赖外部力量，美光没有透露新厂的具体位置，但它家的逻辑芯片得靠台积电来生产，整条供应链绑得更紧了一些，这背后的现实是地缘因素在起作用，高端制程越来越难向外面转移，谁手里握着完整的产业链，谁说话就更有底气。

最后要说一个容易被忽略的事，三星的1c DRAM技术，以前大家一直用1b工艺很多年，现在三星良率上来了，相当于悄悄进入新阶段，如果1c真的可以稳定量产，HBM的成本会下降，密度也能提高，SK海力士和美光还在用1b工艺，要是到年中还跟不上，未来在成本和体积上可能会吃亏，技术升级往往就是这样，表面上是带宽竞争，其实早就埋下了制造工艺的基础。