北京
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国家知识产权局信息显示，周星工程股份有限公司申请一项名为“形成电极的方法”的专利，公开号CN121400088A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，根据本公开的实施例的形成半导体装置的电极的方法包括如下步骤：进行n次包括喷射含钌前体的步骤的钌层形成循环以在基板上形成钌层；以及进行m次包括喷射含金属前体步骤的金属层形成循环以在钌层上形成金属层，其中，依次进行钌层形成循环和金属层形成循环，或依次进行并重复两次以上钌层形成循环和金属层形成循环。因此，根据本公开的实施例，在形成包括钌层和铜层的电极时，可以改善钌层和铜层之间的粘附力。因此，可以抑制或防止铜层从钌层剥离或分离。因此，可以降低电极的比电阻，并且改善导电性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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