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国家知识产权局信息显示，ASML荷兰有限公司申请一项名为“用于半导体光刻、量测、和检测系统的抗反射纳米结构”的专利，公开号CN121368744A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，描述了用于半导体光刻、量测、和检测系统的抗反射纳米结构。还描述了一种利用短（例如，飞秒）激光脉冲产生抗反射纳米结构的表面结构化工艺。短激光脉冲用于从半导体光刻、量测、和/或检测系统的一个或更多个表面去除材料。这些短激光脉冲减少表面上的热影响区，并减少加工区域中的碎屑和再熔化物。这促使形成高精度的抗反射纳米结构，且具有很少的或不具有次表面损伤。该技术是一种批量生产抗反射表面的可靠且成本效益高的方式。除其他优势外，半导体光刻、量测、和/或检测系统的通过这种方式形成抗反射纳米结构的表面通过使与光刻、量测、和/或检测操作相互作用的杂散光和/或不需要的光衰减和/或以其他方式吸收所述杂散光和/或不需要的光，以提高光刻系统的光学模块性能以及量测和检测系统的准确性和效率。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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