国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“制造半导体元件的方法”的专利,公开号CN121368114A,申请日期为2024年10月。
专利摘要显示,提供一种制造半导体元件的方法,包括:提供基板,包括单元区以及周边区;形成晶胞触点、位元线结构以及间隔件于单元区上,其中间隔件分隔晶胞触点以及位元线结构;形成经掺杂多晶硅层于晶胞触点上,从而形成包括经掺杂多晶硅层以及晶胞触点的晶胞触点结构,其中经掺杂多晶硅层是经半导体型离子掺杂:经由使用水,对于晶胞触点结构执行第一清洗处理;以及经由使用经稀释氢氟酸或水,对于晶胞触点结构执行第二清洗处理。经由特定的清洗步骤,可避免腐蚀以及残留物残留于晶胞触点结构上,从而提升半导体元件的电子性能。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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