北京
国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种N阱与深P阱结测试结构、制备方法及测试方法”的专利，公开号CN121358254A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件制备及测试技术领域，特别是涉及一种N阱与深P阱结测试结构、制备方法及测试方法。上述N阱与深P阱结测试结构在N阱和P阱之间设计了一种特殊深沟槽结构，该深沟槽结构恰好由所述N型外延层表面穿透至所述深P阱层内，使得N阱电流只能通过目标N阱/深P阱PN结流向P阱，而不会流向深P阱下方的外延层，构成了独立的N阱/深P阱PN结二极管结构。能够模拟待测LDEMOS器件的N阱/深P阱PN结，单独测试N型LDEMOS器件的N阱与深P阱层之间PN结的纵向击穿电压和结电容，进而得到更加准确的LDEMOS器件的击穿特性分析及其可靠性失效分析结果。
天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目133次，财产线索方面有商标信息46条，专利信息1037条，此外企业还拥有行政许可129个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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