北京
押注存储、汽车电子、AI数据中心三大赛道。
作者 | 萧瑟
编辑 | 小白
GPU供不应求，存储芯片价格飙升，以AI数据中心为代表的下游需求爆发，正推动全球半导体行业进入下一个景气高峰。
相对应地，半导体企业也开始频繁利用资本市场进行扩张。近来，德明利（001309.SZ）拟定增募资32亿，用于固态硬盘和内存产品的扩产；长鑫科技则计划IPO募资295亿，用于存储技术升级和研发。
1月10日，通富微电（002156.SZ）亦公告称，计划定增募资不超过44亿，用于多个业务领域的封测产能提升。
具体情况如何？我们今天来一探究竟。
受益AMD数据中心业务，利润接连高增
通富微电是国内半导体封测环节的龙头企业之一，其服务涵盖存储、显示、消费电子、汽车电子等多个品类。
在2024年全球第三方封测市场中，通富微电以8.0%的市占率排名全球第四，并在中国大陆封测厂中，仅次于市占率11.4%的长电科技（600584.SH）。
两家公司最大的差别在于客户结构。长电科技相对分散，2024年前五大客户贡献52.3%营收，而同期通富微电高达50.4%的收入来自AMD一家客户。
与此同时，通富微电也是AMD最大的封测供应商，占后者订单总数的80%以上，两者深度绑定。
（来源：通富微电25H1中报）
近年来AMD的境况相当不错，2024年实现总营收258亿美元，同比增长13.7%，净利润16.41亿美元，同比激增92.2%。2025年前三季度，收入、利润更是再度录得34.4%、143.7%的高增速。
通富微电的业绩自然是水涨船高。2024年、2025年前三季度实现总营收238.82亿、201.16亿，分别同比增长7.2%、17.8%。
（来源：市值风云APP）
利润端的增幅更为明显，2024年归母净利润6.78亿，低基数下增幅高达299.9%；2025年前三季度，公司净利润再度增长55.7%至8.60亿。
（来源：市值风云APP）
业绩增长更深层次的原因，还是在于AI数据中心相关需求的释放。
作为英伟达的追赶者，AMD同样布局有数据中心CPU（EPYC系列）、数据中心GPU（Instinct系列）、AI加速器等品类。
2024年AMD的数据中心业务实现收入126亿美元，同比增长94%，贡献出总营收的半壁江山，并在2025年前三季度再度创收112亿美元，进一步增长近3成。
更加重磅的消息是，2025年10月OpenAI与AMD合作官宣，前者计划部署6GW的AMD芯片，预计未来4年内产生千亿美元级别的收入，这是AMD以及通富微电最大的确定性所在。
44亿定增，押注AI数据中心
我们再回到通富微电此次定增，公司在预案中表示：“目前产线整体保持较高产能利用率，产能瓶颈逐步显现。”满足大客户AMD未来的大规模增量需求，或许正是通富微电大额定增的目的所在。
44亿的募资金额将用于四大类芯片封测产能的扩充。
（来源：通富微电公告）
其中第一大类是存储芯片，通富微电在当前这个时间点扩产的意图再明显不过。据TrendForce显示，自2025年9月以来，主流存储芯片现货价格累计涨幅已经超过了300%。
存储价格的飙升同样源自AI基础设施对HBM和DDR5的爆发性需求，传统DRAM产能受到严重挤压，亦呈现出同步上涨态势。
美光科技的CEO Sanjay Mehrotra近期表示，整个行业正面临结构性短缺，恢复平衡需要数年时间。
拟投入6.95亿的晶圆级封测产能、6.20亿的高性能计算封测产能，满足的都是先进芯片高频、高速、低功耗的封装需求，主要应用领域均为AI加速芯片、CPU、GPU等。
这部分产能应该是为了配合AMD的扩产需求，是此次定增的重头戏。
（来源：通富微电公告）
上述品类之外，通富微电还计划投入10.55亿的募集资金，用于建设汽车等新兴应用领域封测产能。
在汽车电子领域，通富微电是国内少数具备ISO26262功能安全认证的封测厂，在汽车电子封装领域同样是领先企业。公开信息显示，公司还是比亚迪供应商，为后者提供IGBT模块封装服务。
2024年内，通富微电车载产品业绩同比激增超200%，有发展为第二增长曲线的潜力。
（来源：通富微电2024年年报）
此外，募资资金中剩余的12.30亿将被用于补流和偿债。
需要注意的是，目前通富微电的财务状况并不优秀，三季度末账上货币资金为56.41亿，而短期借款、长期借款（含一年内到期）已有约180亿的规模。
进一步细分来看，通富微电的经营现金流还算充裕，但近年来资本支出规模更甚，高企的负债源自大举扩张。
（来源：Choice终端，制图：市值风云APP）
这也是通富微电相比于长电科技的第二大差异。后者现金流更为充裕，资本开支也更为谨慎，能够实现自由现金流的净流入。
（来源：Choice终端，制图：市值风云APP）
单一大客户、激进的投资策略本质上都是双刃剑，能提升收益也会带来风险，只不过眼下的行业时局，似乎站在更有利于通富微电的一侧。
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