存储价格涨声不断 国内产业链加速扩产破局

来源：中国经营报

继上周国产存储龙头公司股价纷纷创下新高后，2026年1月20日，A股存储芯片板块延续强势，江波龙（301308.SZ）出现小幅涨幅，佰维存储（688525.SH）、通富微电（002156.SZ）等午盘均涨超5%，帝科股份（300842.SZ）涨超3%，这波资本市场的狂热行情，正是全球存储芯片涨价潮直接写照。美光科技公司表示，过去一季度的存储芯片短缺情况持续加剧，并重申因AI基础设施对高端半导体需求激增，供应紧张态势还将延续一段时间。Counterpoint Research最新发布的两份报告均指出，全球存储市场已正式进入“超级牛市”阶段，当前行情不仅远超市场预期，更已超越2018年的历史高点，且涨势将持续至2026年上半年。

北京社科院副研究员王鹏在接受《中国经营报》记者采访时表示，存储板块估值提升与行业基本面改善形成共振，但短期市场情绪可能领先于实际业绩兑现。AI需求爆发与巨头减产策略推动供需格局趋紧，企业盈利预期改善，支撑板块热度。不过，资本市场近期涨幅已部分反映涨价预期，后续需关注价格涨幅能否持续转化为企业利润，避免估值透支风险。

涨价潮再超预期

Counterpoint Research数据显示，2026年第一季度存储价格预计再涨40%—50%，2026年第二季度涨幅虽有所收窄，但仍将保持约20%的增长。

“存储行业正面临前所未有的供需紧张局面，”瑞银Nicolas Gaudois团队最新报告显示，DRAM方面，预计供应短缺将持续到2027年第一季度，其中DDR需求增长20.7%，远超供应增长。NAND短缺情况预计延续至2026年第三季度。瑞银预计，2026年第一季度DDR合约定价将进一步上涨30%，NAND价格上涨20%。

这轮远超预期的涨价潮，根源在于 “AI驱动的结构性供需失衡”。AI驱动的高端存储需求爆发，使三星、SK海力士、美光三大巨头加速将晶圆产能向HBM、DDR5等高附加值产品倾斜，同时大幅压缩成熟制程比重。美光的动作最为彻底，此前宣布退出消费存储品牌英睿达（Crucial）业务，彻底剥离消费级产品线。

开源证券表示，AI持续拉动存储需求，半导体上游Fab、封测等均存在涨价行情。国金证券提到，展望2026年，全球存储芯片仍将供不应求，有望持续涨价。

美光科技首席执行官桑杰・梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）近日在2026财年第一季度财报电话会议上明确表示，DRAM供应短缺将持续至2026年以后，预计到2028年，高带宽内存（HBM）的总体可寻址市场规模（TAM）将突破1000亿美元，超过2024年整个DRAM市场的规模。

科方得咨询机构负责人张新原认为，此轮存储涨价周期具备阶段性可持续性，2026年下半年大概率会出现价格拐点。支撑涨价的核心是国际巨头减产+提价的协同动作，叠加AI高带宽存储需求刚需，短期供需格局难逆转，价格上行至少能延续至2026年上半年；但涨价可持续性的核心瓶颈在供给端，当前减产主要是主动去库存的阶段性动作，而非永久退出产能，2026年年中左右，全球库存回补到位，叠加部分闲置产能重启、国产产能持续释放，供需会逐步从缺口转向平衡，叠加下游厂商对高价存储的采购抵触情绪升温，下半年价格大概率迎来拐点，进入温和回落通道。

在天使投资人，人工智能领域专家郭涛看来，2026年第四季度大概率出现价格拐点。支撑可持续性的核心逻辑：供给端，国际巨头主动减产，且将产能向高端产品迁移，成熟制程供给持续收缩；需求端，AI服务器出货量增长势头强劲，单台存储需求远超普通服务器，云服务商资本开支大幅增加，刚性需求对价格形成有力支撑。但拐点触发条件已在积累：全球存储厂商纷纷加大资本投入推进扩产，国内头部企业的产能计划也将逐步落地；同时，高价格可能抑制部分消费电子需求，行业库存也从历史低位逐步回升。综合来看，2026年上半年价格仍将高位运行，第三季度维持震荡，第四季度随着新增产能集中释放、供需格局趋于平衡，价格大概率进入温和回调阶段，HBM及其他高端产品因产能爬坡较慢，回调幅度或相对有限。

全链扩产提速

面对历史性市场机遇，国内存储产业链从制造、封测到材料环节全面启动扩产计划，龙头企业的动作尤为引人关注。

封测环节呈现产能爆发式增长态势。通富微电在最新机构调研中确认，8.88亿元存储封测产能项目正加速推进，建成后年新增产能达84.96万片，可完全匹配AI存储模组的封测需求，这一消息直接推动公司股价强势涨停。

帝科股份表示，存储业务方面，面对当前市场供需紧张、需求旺盛的局面，公司计划2026年将出货量目标提升至3000万至5000万颗，充分利用现有产能保障供应，叠加涨价因素，进一步扩大营收与归母净利润规模。管理层明确将存储业务作为第二主业，持续加大资金与资本投入，目标在未来两三年内发展成为国内领先的第三方DRAM存储模组企业。

安集科技也表示，受益于半导体产业的长期发展趋势，半导体材料市场持续增长，同时随着先进逻辑芯片、3D存储芯片及异构集成技术的发展，工艺步骤的增加将进一步带动对晶圆制造与封装环节的材料需求。公司的CMP抛光液已实现全品类产品线的布局和覆盖，致力于为前道晶圆制造与后道先进封装提供一站式产品与服务。

对于国产存储替代的优势，张新原认为，当前最核心的优势有两点，一是成熟制程的产能与成本优势，国际巨头退出低端成熟市场后，国内企业凭借量产稳定性和性价比快速补位，在消费级存储、低端工业级存储领域形成份额壁垒，且能依托本土下游电子产业链实现供需联动；二是政策与市场双轮驱动，国内算力基建、终端制造带来本土刚需市场，叠加半导体配套政策扶持，为国产存储提供了业绩缓冲和技术迭代的窗口期。而“卡脖子”难题集中在三方面，一是高端制程核心技术，3D NAND的高堆叠层数、DDR5高频低功耗等核心指标，与国际巨头仍有代差；二是供应链配套，存储芯片所需的高端光刻胶、特种气体、核心设备零部件依赖进口，供应链安全存在隐患；三是生态认证壁垒，高端服务器、车规级存储的行业认证周期长，国产产品短期难进入国际头部厂商供应链体系。

在郭涛看来，国内行业当前最核心的优势是结构性市场卡位与产业链协同能力。国际巨头退出中低端成熟制程后，国内企业快速补位相关市场，凭借出色的成本控制能力抢占手机、PC等终端供应链份额；同时，在政策支持下，国内头部企业突破了先进的3D NAND和DDR5技术并实现量产，形成“成熟市场造血+高端技术攻坚”的良性循环，国产设备在多个关键环节的渗透率也显著提升。

郭涛强调：“高端技术方面，HBM及其他高附加值产品尚未实现规模量产，与国际巨头存在明显代差；供应链层面，高端光刻机受出口管制，核心设备及关键材料仍依赖进口，设备国产化率亟待提升；此外，部分高端产品良率偏低，也制约着国产厂商在高端市场的份额提升。”