存储芯片的国产突围战，从超级周期透视产业链价值（一）

文|钱眼君

来源|博望财经

2025年第四季度，全球半导体界被一则业绩预告点燃：三星电子单季度营业利润同比暴增208.2%，首次突破20万亿韩元（约合138亿美元）的历史性关口。与此同时，美国存储巨头闪迪股价单日暴涨超27%，韩国SK海力士、三星电子股价延续疯狂涨势，不断刷新纪录。

这一切疯狂表现的背后，有一个共同的引爆点——人工智能（AI）。英伟达创始人黄仁勋在2026年国际消费电子展（CES）上断言，AI对存储的庞大需求将带来“一个从未见过的市场”。他的话音刚落，资本市场便用真金白银为存储芯片的未来投下了信任票。

这不是一次普通的行业回暖，而是一场“超级周期”的史诗级行情。TrendForce集邦咨询的数据显示，2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%，达414亿美元；前五大NAND品牌商合计营收季增16.5%，逼近171亿美元。领军企业SK海力士更是发出预警：DRAM缺货情况可能要持续到2028年。

其实当存储这个曾经被视为“成本部件”的行业，升级为AI基础设施的“战略物资”时，一场关乎技术主权、产业安全与资本回报的深度变革早已拉开序幕。笔者将深入拆解存储芯片“超级周期”的驱动逻辑，回溯其跌宕起伏的产业历程，并在这场全球性的资源争夺战中，探寻中国本土力量的突围路径与投资价值。

01

数字世界的记忆之湖

如果把整个半导体产业比作海洋，那么存储芯片就是汇聚成海洋的一片广袤的湖泊。半导体产业主要包括集成电路、光电器件、传感器件和分立器件四大类，其中集成电路占据约83%的市场规模。

图：钱眼君

而在集成电路内部，存储芯片与逻辑芯片贡献了最大价值量。根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)的统计，2024年，全球半导体市场销售额约6305.49亿美元，其中，逻辑电路销售额约为2157.68亿美元，存储芯片销售额约为1655.16亿美元。

图：2024年全球半导体市场细分品类销售额(亿美元)。综合自WSTS、佰维存储招股书、华金证券

存储芯片又称为半导体存储器，是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放。在数字化世界，我们的手机、电脑、汽车等等无不依赖数据的存与读来执行指令，可以说，存储芯片是数字化世界的“记忆之湖”，其容量与速度，直接决定了数据洪流的承载与处理能力。

根据断电后是否保留信息，存储芯片可分为易失性存储芯片（RAM）和非易失性存储芯片（ROM）两大家族。RAM是计算机的主内存，用于临时存储正在运行的程序和当前使用的数据。之所以“易失”，是因为一旦断电，存储在其中的数据就会丢失。在计算机运行过程中，RAM允许数据的快速读写操作，以便快速处理信息。市面上最主流的DRAM就是RAM家族的一种常见类型，其成本相对较低但集成度高，可以制造出较大容量的内存模块。

另一个ROM家族里，闪存芯片（FLASH）是最常见的类型。FLASH 可分为 NOR 和 NAND 两种，两者区别在于存储单元连接方式不同，导致两者读取方式不同。

图：结合东芯股份招股说明书、公开资料整理

NOR由于支持随机访问，读取速度比NAND 快；而NAND 以块为单位进行擦除和写入操作，其擦除和写入速度比NOR快很多。NAND内部电路更简单，因此数据密度大、体积小，成本也低，市场上一些大容量的FLASH都采用NAND型，像大家常用的 SSD、U盘、SD卡等。小容量的2M - 12M的FLASH多是NOR型，NOR比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行。相比于Flash，DRAM具有较高读写速度、存储时间短等优势，但单位成本更高，主要用于PC内存（如DDR）、手机内存（如LPDDR）和服务器等设备。

围绕存储芯片的广袤湖泊，产业链如上下游支流般地延展开来：上游参与者主要集中于芯片原材料方向，包括硅片、光刻胶、靶材、抛光材料、电子特种气体等半导体材料供应商和光刻机、PVD、CVD、刻蚀设备、清洗设备、封测设备等半导体设备供应商；

产业链中游为存储芯片制造商，主要负责存储芯片的设计、制造和封测，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；

产业链下游为应用方向，包括消费电子、汽车电子、信息通信、人工智能等应用领域内的企业，各类电子化和智能化设备都离不开存储芯片应用。很长时期以来，存储芯片产业的发展一直由美、日、韩三国主导，国产存储芯片产业链的发展则经历了一个漫长的追赶过程。

02

历史回响与国产足迹：存储芯片的演进之路

要深刻理解今日存储芯片“超级周期”的意义与现今国产厂商的机遇，必须将其置于产业发展的长河之中审视。美国、日本、韩国的半导体芯片产业的发展史，在一定程度上也是世界半导体芯片的发展历程。我国的半导体产业则是一部从无到有、从追赶到并跑的技术演进史，也是一部后发者如何借势破局、构建自主体系的奋斗史。

1、浪潮之巅：一部跌宕起伏的产业进化史

存储芯片的故事，始于对“记忆”载体效率的永恒追求。在半导体存储器问世前，计算机曾使用笨重的磁鼓存储器，乃至更原始的穿孔纸卡。1949年，磁芯存储器的发明统治了计算机存储长达二十余年，但其体积庞大、速度缓慢。

图：磁鼓存储器，中科院半导体研究所公众号

真正的革命发生在1968年。摩尔与诺伊斯创立英特尔（Intel），并将目光锁定在计算机存储器上。1970年，划时代的1K容量DRAM产品1103诞生，它以10美元的售价、每个比特1美分的极致性价比，被冠以“磁芯存储器杀手”的称号，正式开启了半导体存储时代，英特尔也借此迅速崛起。

非易失性存储的突破，则源于一位日本工程师的“叛逆”构想。上世纪80年代，东芝的桀冈富士雄提出了一个在当时看来反直觉的思路——刻意降低性能以削减成本，发明一种可以一次性快速擦除全部数据的存储装置，即“闪存（Flash）”。尽管最初不被公司理解，在上级的支持下，桀冈先后提出了NOR Flash和NAND Flash的概念。其中，NAND Flash因其在存储密度、耐用性和成本上的巨大潜力，彻底改变了移动数据存储的面貌。

产业的每一次代际更迭，都伴随着惨烈的竞争与战略豪赌。韩国三星的崛起便是经典案例。在创始人李秉喆听取“半导体胜负关键在于数量”的建议后，三星义无反顾地选择了市场规模最大的存储器作为突破口，并通过多次“逆周期投资”——在市场低谷时疯狂扩建产能、压低价格，最终拖垮对手，从追赶者蜕变为全球领导者。

进入21世纪，存储芯片的技术挑战从平面逐步走向立体。当2D NAND闪存因物理极限难以微缩时，3D NAND技术（如三星的V-NAND）应运而生，通过垂直堆叠存储单元来继续提升容量与性能。

图：从2D向4D演进的示意图--SK海力士官网、华金证券

我们可以理解为，2D是平铺“建平房”，而3D则是向上突破“盖高楼”。当下，为满足AI对超高带宽的需求，将多个DRAM芯片垂直堆叠并通过硅通孔（TSV）连接的HBM（高带宽内存）技术成为新的战略制高点。

存储芯片产业的发展史，宛然是一部“技术突破-规模量产-成本制胜”不断循环的史诗。每一次技术路线的拐点，都是新旧势力更替的窗口。

2、中国征程：从0到1的自主破局

中国存储芯片产业的起步，伴随着巨大的市场落差与迫切的安全焦虑。长期以来，由于不掌握核心技术，中国每年花费巨额外汇进口芯片。数据显示，从2006年开始，中国集成电路产业产品的进口超过石油成为中国最大宗进口产品。2013年—2016年，中国每年芯片进口额超过2000亿美元。其中，2016年进口金额为2270.26亿美元，是同期原油进口金额的两倍，“缺芯之痛”催生了国家层面的战略决心。（其实早在90年代，我国就已经对发展半导体产业的重要性有了认识，并进行了多种尝试，比较著名的有“909工程”及华虹集团、中芯国际等诸多代表性公司成立等等，篇幅有限我们不展开叙述）

2014年，国家集成电路产业投资基金（“国家大基金”）成立，一期募资1387亿元，二期超2000亿元。与以往项目不同，大基金采取市场化运作：重点扶持行业龙头，且不干预企业日常经营。在这一背景下，长江存储与长鑫存储等领军企业承载起中国在NAND和DRAM领域自主可控的希望。

长江存储成立于2016年。其突围的关键在于核心技术——晶栈®Xtacking®架构。在该架构推出前，市场上的3D NAND主要分为传统并列式架构和CuA（CMOSunderArray）架构。通过创新布局和缜密验证，长江存储将晶圆键合这一关键技术在3D NAND闪存上得以实现。

长鑫存储则主攻DRAM领域。2019年，其量产第一代19nm工艺DDR4芯片，标志着中国自主研发的DRAM技术取得从“0”到“1”的突破。此后，长鑫稳步推进技术迭代，逐步构建起覆盖DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5X的产品矩阵。

除了制造端的突破，产业链其他环节也在同步成长。例如，江波龙电子通过自研主控芯片、建设自有封测基地，能够快速响应本土客户的定制化需求。佰维存储构筑了研发封测一体化的经营模式，在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面具有核心竞争力，并积极布局芯片IC设计、先进封测、芯片测试设备研发等技术领域。

中国存储产业的崛起路径，可以说是一条融合了国家战略引导、聚焦核心技术突破、依托巨大内需市场并逐步构建完整生态的中国特色创新之路，那么站在当前“三重共振”的机会节点上，有将有哪些机遇和挑战？我们下篇再继续聊