北京
分享至
国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“填充衬底表面上的间隙的方法”的专利，公开号CN121344556A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，提供了一种填充衬底表面上的间隙的方法。该方法可以包括：(a)将衬底放置在反应室内的基座上，衬底包括间隙；(b)沉积步骤，包括：使碳前体流入反应室；并且将碳前体暴露于等离子体，其中碳前体反应以形成第一沉积材料；以及(c)处理步骤，包括：在含原子氧气体中退火衬底，以使第一沉积材料在间隙内流动以形成碳膜。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
