韩媒称“三星、SK海力士预计今年继续减产NAND闪存”，以追求利润最大化

尽管人工智能驱动的需求正在激增，韩国两大存储芯片巨头三星电子和SK海力士今年将继续削减NAND闪存产量。这一供应策略预计将推动NAND价格在服务器、PC和移动设备等各个领域持续上涨，为两家公司带来与DRAM相当的利润率提升。

周二，据韩国《朝鲜日报》援引市场研究机构Omdia数据报道，三星电子今年NAND晶圆产量将从去年的490万片降至468万片，甚至低于2024年因盈利能力恶化而实施的减产水平。SK海力士的NAND产量也将从去年约190万片降至今年的170万片。两家公司合计占据全球NAND闪存市场超过60%的份额。

这一减产决策正值英伟达等公司引领的推理AI竞争加剧之际。据花旗数据，英伟达将于今年下半年量产的下一代AI加速器"Vera Rubin"的固态硬盘容量达1152TB，是现有"Blackwell"的10倍以上。预计该产品今年出货量为3万台，明年将达10万台，这将在2026年和2027年分别创造3460万TB和1.152亿TB的新增需求。

值得一提的是，由AI热潮驱动的全球存储芯片超级周期已转化为历史性利润，三星电子和SK海力士正在发放多年来规模最大的绩效奖金。三星电子半导体部门Device Solutions已确认，符合条件的员工本月将获得相当于基本年薪47%的奖金SK海力士分红和奖金力度更为激进，平均奖金预计将超过1.4亿韩元，创下历史新高。

资本支出转向高利润DRAM

业内普遍认为，三星电子和SK海力士削减NAND产量反映出资本支出优先级已转向盈利能力最高的DRAM。

此外，随着AI数据中心对高容量SSD的需求增长，从现有三层单元技术向更适合AI数据中心的四层单元技术转换过程中，不可避免地会出现自然产量损失。这一转换涉及设备安装、稳定期和初期生产良率等多重因素。

据报道，三星电子和SK海力士的高管认为没有理由急于增加NAND产量。一位半导体行业人士表示，目前尚不清楚三星电子和SK海力士的NAND减产是有意为之还是自然结果，但无论如何，减产带来的收益在今年将达到最大。

价格预期全面上涨

主要市场研究机构预计NAND价格将从今年第一季度开始全面上涨，并密切关注关键供应商的供应调整。

TrendForce预计第一季度NAND闪存合约价格将较上季度上涨33%至38%，并指出三星电子、SK海力士等公司正维持保守的NAND生产立场。IDC也预测今年NAND供应增长率将在17%左右，低于近年来的平均水平。

分析师表示，鉴于今年NAND市场在AI推动下需求激增，主要供应商三星电子和SK海力士的供应控制可能加深AI服务器以及移动设备、PC等各领域的短缺。对于NAND业务，两家公司长期以来盈利能力恶化，不得不专注于价格防御，如今可以利用这轮存储芯片超级周期尽可能实现利润最大化。

三星和SK海力士发放创纪录奖金

三星电子和SK海力士正在发放多年来规模最大的绩效奖金，标志着由人工智能热潮驱动的全球存储芯片超级周期已转化为历史性利润。这两家韩国芯片巨头的大手笔分红直接反映了高带宽存储器(HBM)等AI芯片需求激增带来的盈利能力显著提升。

三星电子半导体部门Device Solutions已确认，符合条件的员工本月将获得相当于基本年薪47%的奖金。这一比例接近三星内部50%的上限，与2023年该部门因芯片市场低迷而奖金率为零形成鲜明对比，凸显出行业复苏的力度。

SK海力士的分红力度更为激进，该公司取消了长期实行的10个月基本工资上限，改为将营业利润的10%用于今年的利润分享计划。基于预计45万亿韩元的全年营业利润和33000名员工，平均奖金预计将超过1.4亿韩元，创下历史新高。

这些创纪录的奖金发放正值两家公司将产能大规模转向HBM生产之际。由于HBM消耗的晶圆产能约为标准DRAM的三倍，这一转型导致DDR5等通用存储器供应紧张，推动整体价格上涨，为芯片制造商带来了双重利润增长动力。