北京
国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司；西安奕斯伟硅片技术有限公司申请一项名为“一种硅片缺陷检测方法及装置”的专利，公开号CN121358253A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种硅片缺陷检测方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括：对待测硅片的第一部分进行第一刻蚀处理后进行LDP检测，以确定待测硅片是否存在LDP缺陷；在待测硅片不存在LDP缺陷的情况下，对待测硅片的第二部分进行第二刻蚀处理后进行铜雾检测，确定待测硅片的形貌类型；根据形貌类型确定所述待测硅片的COP尺寸。降低了漏检、误判风险，提升了硅片缺陷检测的准确性。
天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本403780万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目6次，专利信息1493条，此外企业还拥有行政许可24个。
西安奕斯伟硅片技术有限公司，成立于2018年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本660000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟硅片技术有限公司参与招投标项目384次，专利信息1034条，此外企业还拥有行政许可53个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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