北京
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国家知识产权局信息显示，重庆万国半导体科技有限公司申请一项名为“导通压降呈正温度系数的功率器件及其制作方法”的专利，公开号CN121357918A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种导通压降呈正温度系数的功率器件及其制作方法，制作方法包括：在所述N型衬底上外延生长第一N型外延层；在所述第一N型外延层的表面注入形成间隔分布的多个P型逆转区；在所述第一N型外延层上外延生长第二N型外延层；完成器件的后续制作工艺。本发明中，通过在温度系数逆转区域形成间隔分布的多个较浓p型掺杂的P型逆转区，可以提高器件导通压降的正温度系数，降低器件的制造成本。
天眼查资料显示，重庆万国半导体科技有限公司，成立于2016年，位于重庆市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本46093.126499万美元。通过天眼查大数据分析，重庆万国半导体科技有限公司参与招投标项目37次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可19个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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